Справочник MOSFET. SI3493DV

 

SI3493DV Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SI3493DV
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 40 ns
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.027 Ohm
   Тип корпуса: TSOP-6
 

 Аналог (замена) для SI3493DV

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SI3493DV Datasheet (PDF)

 ..1. Size:199K  vishay
 si3493dv.pdf pdf_icon

SI3493DV

Si3493DVVishay SiliconixP-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ.)Definition0.027 at VGS = - 4.5 V - 7 TrenchFET Power MOSFET: 1.8 V Rated0.035 at VGS = - 2.5 V - 6.2- 20 21 Ultra-Low On-Resistance 0.048 at VGS = - 1.8 V - 5.2 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC

 7.1. Size:227K  vishay
 si3493ddv.pdf pdf_icon

SI3493DV

Si3493DDVwww.vishay.comVishay SiliconixP-Channel 20 V (D-S) MOSFETFEATURESTSOP-6 Single TrenchFET Gen III p-channel power MOSFETS4 RDS(on) rating at VGS = -1.8 VD5D 100 % Rg and UIS tested6 Material categorization: for definitions of compliance please see3www.vishay.com/doc?99912G2DAPPLICATIONS1 SD Battery management in mobile d

 8.1. Size:190K  vishay
 si3493bd.pdf pdf_icon

SI3493DV

Si3493BDVVishay SiliconixP-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) () Qg (Typ.)ID (A)Definition0.0275 at VGS = - 4.5 V TrenchFET Power MOSFET- 8.0a PWM Optimized- 20 0.034 at VGS = - 2.5 V - 7.9 26.2 nC 100 % Rg Tested 0.045 at VGS = - 1.8 V - 2.2 Compliant to RoHS Directiv

 8.2. Size:192K  vishay
 si3493bdv.pdf pdf_icon

SI3493DV

Si3493BDVVishay SiliconixP-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) () Qg (Typ.)ID (A)Definition0.0275 at VGS = - 4.5 V TrenchFET Power MOSFET- 8.0a PWM Optimized- 20 0.034 at VGS = - 2.5 V - 7.9 26.2 nC 100 % Rg Tested 0.045 at VGS = - 1.8 V - 2.2 Compliant to RoHS Directiv

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... SI3473DV , SI3474DV , SI3476DV , SI3477DV , SI3481DV , SI3483CDV , SI3483DV , SI3493BDV , 20N50 , SI3495DV , SI3499DV , SI3552DV , SI3585CDV , SI3586DV , SI3588DV , SI3590DV , SI3805DV .

History: IXKP24N60C5M | 4N65KL-TF2-T

 

 
Back to Top

 


 
.