SI3493DV - описание и поиск аналогов

 

SI3493DV. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SI3493DV

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 40 ns

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.027 Ohm

Тип корпуса: TSOP-6

Аналог (замена) для SI3493DV

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SI3493DV даташит

 ..1. Size:199K  vishay
 si3493dv.pdf pdf_icon

SI3493DV

Si3493DV Vishay Siliconix P-Channel 20-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Qg (Typ.) Definition 0.027 at VGS = - 4.5 V - 7 TrenchFET Power MOSFET 1.8 V Rated 0.035 at VGS = - 2.5 V - 6.2 - 20 21 Ultra-Low On-Resistance 0.048 at VGS = - 1.8 V - 5.2 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC

 7.1. Size:227K  vishay
 si3493ddv.pdf pdf_icon

SI3493DV

Si3493DDV www.vishay.com Vishay Siliconix P-Channel 20 V (D-S) MOSFET FEATURES TSOP-6 Single TrenchFET Gen III p-channel power MOSFET S 4 RDS(on) rating at VGS = -1.8 V D 5 D 100 % Rg and UIS tested 6 Material categorization for definitions of compliance please see 3 www.vishay.com/doc?99912 G 2 D APPLICATIONS 1 S D Battery management in mobile d

 8.1. Size:190K  vishay
 si3493bd.pdf pdf_icon

SI3493DV

Si3493BDV Vishay Siliconix P-Channel 20-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) Qg (Typ.) ID (A) Definition 0.0275 at VGS = - 4.5 V TrenchFET Power MOSFET - 8.0a PWM Optimized - 20 0.034 at VGS = - 2.5 V - 7.9 26.2 nC 100 % Rg Tested 0.045 at VGS = - 1.8 V - 2.2 Compliant to RoHS Directiv

 8.2. Size:192K  vishay
 si3493bdv.pdf pdf_icon

SI3493DV

Si3493BDV Vishay Siliconix P-Channel 20-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) Qg (Typ.) ID (A) Definition 0.0275 at VGS = - 4.5 V TrenchFET Power MOSFET - 8.0a PWM Optimized - 20 0.034 at VGS = - 2.5 V - 7.9 26.2 nC 100 % Rg Tested 0.045 at VGS = - 1.8 V - 2.2 Compliant to RoHS Directiv

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... SI3473DV , SI3474DV , SI3476DV , SI3477DV , SI3481DV , SI3483CDV , SI3483DV , SI3493BDV , STP80NF70 , SI3495DV , SI3499DV , SI3552DV , SI3585CDV , SI3586DV , SI3588DV , SI3590DV , SI3805DV .

History: SI3483CDV | AOI7N65

 

 

 

 

↑ Back to Top
.