SI3493DV MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SI3493DV
Маркировка: 93*
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1.1 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 20 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 8 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 1 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 5.3 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 7 nC
Время нарастания (tr): 40 ns
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.027 Ohm
Тип корпуса: TSOP-6
SI3493DV Datasheet (PDF)
si3493dv.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
Si3493DVVishay SiliconixP-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ.)Definition0.027 at VGS = - 4.5 V - 7 TrenchFET Power MOSFET: 1.8 V Rated0.035 at VGS = - 2.5 V - 6.2- 20 21 Ultra-Low On-Resistance 0.048 at VGS = - 1.8 V - 5.2 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC
si3493ddv.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
Si3493DDVwww.vishay.comVishay SiliconixP-Channel 20 V (D-S) MOSFETFEATURESTSOP-6 Single TrenchFET Gen III p-channel power MOSFETS4 RDS(on) rating at VGS = -1.8 VD5D 100 % Rg and UIS tested6 Material categorization: for definitions of compliance please see3www.vishay.com/doc?99912G2DAPPLICATIONS1 SD Battery management in mobile d
si3493bd.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
Si3493BDVVishay SiliconixP-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) () Qg (Typ.)ID (A)Definition0.0275 at VGS = - 4.5 V TrenchFET Power MOSFET- 8.0a PWM Optimized- 20 0.034 at VGS = - 2.5 V - 7.9 26.2 nC 100 % Rg Tested 0.045 at VGS = - 1.8 V - 2.2 Compliant to RoHS Directiv
si3493bdv.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
Si3493BDVVishay SiliconixP-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) () Qg (Typ.)ID (A)Definition0.0275 at VGS = - 4.5 V TrenchFET Power MOSFET- 8.0a PWM Optimized- 20 0.034 at VGS = - 2.5 V - 7.9 26.2 nC 100 % Rg Tested 0.045 at VGS = - 1.8 V - 2.2 Compliant to RoHS Directiv
Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRF1010E , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .