SI4398DY datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SI4398DY  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.6 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 19 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

|VGSth|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V

Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 34 nC

tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1340 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0028 Ohm

Тип корпуса: SO-8

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для SI4398DY

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SI4398DY даташит

 ..1. Size:239K  vishay
 si4398dy.pdf pdf_icon

SI4398DY

Si4398DY Vishay Siliconix N-Channel Reduced Qg, Fast Switching MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Definition 0.0028 at VGS = 10 V 25 20 Extremely Low Qgd for Switching Losses 0.0040 at VGS = 4.5 V 22 Ultra-Low On-Resistance 100 % Rg and UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APP

 9.1. Size:93K  vishay
 si4392ady.pdf pdf_icon

SI4398DY

Si4392ADY New Product Vishay Siliconix N-Channel Reduced Qg, Fast Switching WFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Extremely Low Qgd WFET Technology for VDS (V) rDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ) Low Switching Losses RoHS 0.0075 at VGS = 10 V 21.5 TrenchFET Power MOSFET COMPLIANT 12 nC 30 100 % Rg Tested 0.0115 at VGS = 4.5 V 17.4 APPLICATIONS High-Side DC/DC Conv

 9.2. Size:81K  vishay
 si4394dy.pdf pdf_icon

SI4398DY

Si4394DY New Product Vishay Siliconix N-Channel Reduced Qgd, Fast Switching WFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Extremely Low Qgd WFET Technology for VDS (V) rDS(on) ( )ID (A) Switching Losses RoHS 0.00825 at VGS = 10 V 15 30 TrenchFET Power MOSFET COMPLIANT 0.00975 at VGS = 4.5 V 14 100 % Rg Tested APPLICATIONS High-Side DC/DC Conversion - Notebook - S

 9.3. Size:78K  vishay
 si4392dy.pdf pdf_icon

SI4398DY

Si4392DY Vishay Siliconix N-Channel Reduced Qg, Fast Switching WFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Extremely Low Qgd WFET Technology for VDS (V) rDS(on) ( )ID (A) Switching Losses Available 0.00975 at VGS = 10 V 12.5 30 TrenchFET Power MOSFET RoHS* 0.01375 at VGS = 4.5 V 10.0 COMPLIANT 100 % Rg Tested APPLICATIONS High-Side DC/DC Conversion - Notebook

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... SI4354DY, SI4362BDY, SI4368DY, SI4378DY, SI4384DY, SI4386DY, SI4390DY, SI4396DY, AON7408, SI4401BDY, SI4401DDY, SI4401DY, SI4403BDY, SI4403CDY, SI4404DY, SI4406DY, SI4408DY