Справочник MOSFET. SI4420DYPBF

 

SI4420DYPBF Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SI4420DYPBF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12.5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.009 Ohm
   Тип корпуса: SO-8
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SI4420DYPBF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:114K  vishay
 si4420dypbf si4420dytrpbf.pdf pdf_icon

SI4420DYPBF

PD - 95729Si4420DYPbFHEXFET Power MOSFETl N-Channel MOSFETAAl Low On-Resistance1 8S DVDSS = 30Vl Low Gate Charge2 7S Dl Surface Mount3 6S Dl Logic Level Drive4 5l Lead-Free G DRDS(on) = 0.009Top ViewDescriptionThis N-channel HEXFET power MOSFET is producedusing International Rectifier's advanced HEXFET powerMOSFET technology. The low on-res

 6.1. Size:111K  international rectifier
 si4420dy.pdf pdf_icon

SI4420DYPBF

PD - 93835Si4420DYHEXFET Power MOSFET N-Channel MOSFETAA Low On-Resistance 1 8S DVDSS = 30V Low Gate Charge2 7S D Surface Mount3 6S D Logic Level Drive4 5G DRDS(on) = 0.009Top ViewDescriptionThis N-channel HEXFET power MOSFET is producedusing International Rectifier's advanced HEXFET powerMOSFET technology. The low on-resistance and low gate

 6.2. Size:281K  fairchild semi
 si4420dy.pdf pdf_icon

SI4420DYPBF

January 2000Si4420DY*Single N-Channel Logic Level PowerTrench MOSFETGeneral Description FeaturesThis N-Channel Logic Level MOSFET is produced using 12.5 A, 30 V. RDS(ON) = 0.009 W @ VGS = 10 VFairchild Semiconductor's advanced PowerTrench processRDS(ON) = 0.013 W @ VGS = 4.5 Vthat has been especially tailored to minimize on-stateresistance and yet maintain superior switc

 6.3. Size:106K  vishay
 si4420dytr.pdf pdf_icon

SI4420DYPBF

PD - 93835Si4420DYHEXFET Power MOSFET N-Channel MOSFETAA Low On-Resistance 1 8S DVDSS = 30V Low Gate Charge2 7S D Surface Mount3 6S D Logic Level Drive4 5G DRDS(on) = 0.009Top ViewDescriptionThis N-channel HEXFET power MOSFET is producedusing International Rectifier's advanced HEXFET powerMOSFET technology. The low on-resistance and low gate

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRFZ44 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

History: NTDV18N06LT4G | SI4403BDY | IRC330 | R6524KNX | SI4409DY | SI4455DY | SI2301ADS-T1

 

 
Back to Top

 


 
.