SI4866BDY - аналоги и даташиты транзистора

 

SI4866BDY - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: SI4866BDY
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 12 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 16.1 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 18 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1305 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0053 Ohm
   Тип корпуса: SO-8

 Аналог (замена) для SI4866BDY

 

SI4866BDY Datasheet (PDF)

 ..1. Size:235K  vishay
 si4866bdy.pdf pdf_icon

SI4866BDY

Si4866BDY Vishay Siliconix N-Channel 12-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) Available 0.0053 at VGS = 4.5 V 21.5 TrenchFET Power MOSFET 0.006 at VGS = 2.5 V 12 20.2 29.5 nC 100 % Rg and UIS Tested 0.0074 at VGS = 1.8 V 18.2 APPLICATIONS Synchronous Rectifier Poi

 6.1. Size:232K  vishay
 si4866bd.pdf pdf_icon

SI4866BDY

Si4866BDY Vishay Siliconix N-Channel 12-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) Available 0.0053 at VGS = 4.5 V 21.5 TrenchFET Power MOSFET 0.006 at VGS = 2.5 V 12 20.2 29.5 nC 100 % Rg and UIS Tested 0.0074 at VGS = 1.8 V 18.2 APPLICATIONS Synchronous Rectifier Poi

 8.1. Size:224K  vishay
 si4866dy.pdf pdf_icon

SI4866BDY

Si4866DY Vishay Siliconix N-Channel Reduced Qg, Fast Switching MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Available 0.0055 at VGS = 4.5 V 17 TrenchFET Power MOSFETs 12 0.008 at VGS = 2.5 V 14 PWM Optimized for High Efficiency Low Output Voltage 100 % Rg Tested APPLICATIONS Synchronous

 9.1. Size:224K  vishay
 si4862dy.pdf pdf_icon

SI4866BDY

Si4862DY Vishay Siliconix N-Channel 16-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Available 0.0033 at VGS = 4.5 V 25 TrenchFET Power MOSFETs 2.5 V Rated 16 0.0055 at VGS = 2.5 V 20 Low 3.3 m RDS(on) Low Gate Resistance 100 % Rg Tested APPLICATIONS Synchronous Rectification

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... SI4840DY , SI4842BDY , SI4848DY , SI4850EY , SI4858DY , SI4860DY , SI4862DY , SI4864DY , IRF1010E , SI4866DY , SI4874BDY , SI4880DY , SI4884BDY , SI4886DY , SI4888DY , SI4890BDY , SI4890DY .

 

 
Back to Top

 


 
.