SI4866BDY datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SI4866BDY  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 12 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 16.1 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 18 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1305 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0053 Ohm

Тип корпуса: SO-8

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для SI4866BDY

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SI4866BDY даташит

 ..1. Size:235K  vishay
 si4866bdy.pdf pdf_icon

SI4866BDY

Si4866BDY Vishay Siliconix N-Channel 12-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) Available 0.0053 at VGS = 4.5 V 21.5 TrenchFET Power MOSFET 0.006 at VGS = 2.5 V 12 20.2 29.5 nC 100 % Rg and UIS Tested 0.0074 at VGS = 1.8 V 18.2 APPLICATIONS Synchronous Rectifier Poi

 6.1. Size:232K  vishay
 si4866bd.pdf pdf_icon

SI4866BDY

Si4866BDY Vishay Siliconix N-Channel 12-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) Available 0.0053 at VGS = 4.5 V 21.5 TrenchFET Power MOSFET 0.006 at VGS = 2.5 V 12 20.2 29.5 nC 100 % Rg and UIS Tested 0.0074 at VGS = 1.8 V 18.2 APPLICATIONS Synchronous Rectifier Poi

 8.1. Size:224K  vishay
 si4866dy.pdf pdf_icon

SI4866BDY

Si4866DY Vishay Siliconix N-Channel Reduced Qg, Fast Switching MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Available 0.0055 at VGS = 4.5 V 17 TrenchFET Power MOSFETs 12 0.008 at VGS = 2.5 V 14 PWM Optimized for High Efficiency Low Output Voltage 100 % Rg Tested APPLICATIONS Synchronous

 9.1. Size:224K  vishay
 si4862dy.pdf pdf_icon

SI4866BDY

Si4862DY Vishay Siliconix N-Channel 16-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Available 0.0033 at VGS = 4.5 V 25 TrenchFET Power MOSFETs 2.5 V Rated 16 0.0055 at VGS = 2.5 V 20 Low 3.3 m RDS(on) Low Gate Resistance 100 % Rg Tested APPLICATIONS Synchronous Rectification

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... SI4840DY, SI4842BDY, SI4848DY, SI4850EY, SI4858DY, SI4860DY, SI4862DY, SI4864DY, IRF1010E, SI4866DY, SI4874BDY, SI4880DY, SI4884BDY, SI4886DY, SI4888DY, SI4890BDY, SI4890DY