Справочник MOSFET. SI4866BDY

 

SI4866BDY MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SI4866BDY
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 12 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 16.1 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 21.5 nC
   trⓘ - Время нарастания: 18 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1305 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0053 Ohm
   Тип корпуса: SO-8

 Аналог (замена) для SI4866BDY

 

 

SI4866BDY Datasheet (PDF)

 ..1. Size:235K  vishay
 si4866bdy.pdf

SI4866BDY SI4866BDY

Si4866BDYVishay SiliconixN-Channel 12-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Available0.0053 at VGS = 4.5 V 21.5 TrenchFET Power MOSFET0.006 at VGS = 2.5 V 12 20.2 29.5 nC 100 % Rg and UIS Tested0.0074 at VGS = 1.8 V 18.2APPLICATIONS Synchronous Rectifier Poi

 6.1. Size:232K  vishay
 si4866bd.pdf

SI4866BDY SI4866BDY

Si4866BDYVishay SiliconixN-Channel 12-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Available0.0053 at VGS = 4.5 V 21.5 TrenchFET Power MOSFET0.006 at VGS = 2.5 V 12 20.2 29.5 nC 100 % Rg and UIS Tested0.0074 at VGS = 1.8 V 18.2APPLICATIONS Synchronous Rectifier Poi

 8.1. Size:224K  vishay
 si4866dy.pdf

SI4866BDY SI4866BDY

Si4866DYVishay SiliconixN-Channel Reduced Qg, Fast Switching MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Available0.0055 at VGS = 4.5 V 17 TrenchFET Power MOSFETs120.008 at VGS = 2.5 V 14 PWM Optimized for High Efficiency Low Output Voltage 100 % Rg Tested APPLICATIONS Synchronous

 9.1. Size:224K  vishay
 si4862dy.pdf

SI4866BDY SI4866BDY

Si4862DYVishay SiliconixN-Channel 16-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Available0.0033 at VGS = 4.5 V 25 TrenchFET Power MOSFETs: 2.5 V Rated160.0055 at VGS = 2.5 V 20 Low 3.3 m RDS(on) Low Gate Resistance 100 % Rg Tested APPLICATIONS Synchronous Rectification

 9.2. Size:224K  vishay
 si4864dy.pdf

SI4866BDY SI4866BDY

Si4864DYVishay SiliconixN-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Available0.0035 at VGS = 4.5 V 25 TrenchFET Power MOSFETs: 2.5 V Rated200.0047 at VGS = 2.5 V 20 Low 3.5 m RDS(on) PWM (Qgd and Rg) Optimized APPLICATIONS Low-Side MOSFET in Synchronous Buck DC/DC

 9.3. Size:224K  vishay
 si4860dy.pdf

SI4866BDY SI4866BDY

Si4860DYVishay SiliconixN-Channel Reduced Qg, Fast Switching MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Available0.008 at VGS = 10 V 16 TrenchFET Power MOSFETs300.011 at VGS = 4.5 V 15 PWM Optimized for High Efficiency 100 % Rg Tested APPLICATIONS Buck Converter- High Side- Low Sid

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , STP80NF70 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 

Back to Top