SI4890BDY Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: SI4890BDY
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10.7 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 10 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 255 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.012 Ohm
Тип корпуса: SO-8
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
SI4890BDY Datasheet (PDF)
si4890bd si4890bdy.pdf

Si4890BDYVishay SiliconixN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Available0.012 at VGS = 10 V 16 TrenchFET Power MOSFET30 10 nC 100 % Rg and UIS Tested0.016 at VGS = 4.5 V 14APPLICATIONS Notebook- System Power- Adapter SwitchSO-8 DC/DCDSD
si4890bdy-t1.pdf

SI4890BDY-T1www.VBsemi.twN-Channel 20V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.012 at VGS = 10 V 1220 6.1 nC Optimized for High-Side Synchronous0.015 at VGS = 4.5 V 11Rectifier Operation 100 % Rg Tested 100 % UIS TestedAPPLICATIONS Notebook CPU Core- High-Side Switch
si4890dy.pdf

Si4890DYVishay SiliconixN-Channel Reduced Qg, Fast Switching MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Definition0.012 at VGS = 10 V 11 TrenchFET Power MOSFETs300.020 at VGS = 4.5 V 9 High-Efficiency PWM Optimized Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECSO-8DS D1 8S D2 7S D
si4896dy.pdf

Si4896DYVishay SiliconixN-Channel 80-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Definition0.0165 at VGS = 10 V 9.5 TrenchFET Power MOSFETs800.022 at VGS = 6.0 V 8.3 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECDSO-8S D1 8S D2 7GS D3 6G D4 5Top ViewSOrdering Information:
Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .
History: IXTQ18N60P | FQN1N50CBU | FDMQ8203 | F5020 | MRF184S | APT50M65LLLG | IXFP18N65X2
History: IXTQ18N60P | FQN1N50CBU | FDMQ8203 | F5020 | MRF184S | APT50M65LLLG | IXFP18N65X2



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
2sc945 replacement | 9014 transistor | irfp260n datasheet | irfp250m | 2sk1058 | ss8550 | mje15033 | 2sc945 datasheet