SI4890BDY datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SI4890BDY  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10.7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 255 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.012 Ohm

Тип корпуса: SO-8

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для SI4890BDY

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SI4890BDY даташит

 ..1. Size:88K  vishay
 si4890bd si4890bdy.pdf pdf_icon

SI4890BDY

Si4890BDY Vishay Siliconix N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) Available 0.012 at VGS = 10 V 16 TrenchFET Power MOSFET 30 10 nC 100 % Rg and UIS Tested 0.016 at VGS = 4.5 V 14 APPLICATIONS Notebook - System Power - Adapter Switch SO-8 DC/DC D SD

 0.1. Size:866K  cn vbsemi
 si4890bdy-t1.pdf pdf_icon

SI4890BDY

SI4890BDY-T1 www.VBsemi.tw N-Channel 20V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET 0.012 at VGS = 10 V 12 20 6.1 nC Optimized for High-Side Synchronous 0.015 at VGS = 4.5 V 11 Rectifier Operation 100 % Rg Tested 100 % UIS Tested APPLICATIONS Notebook CPU Core - High-Side Switch

 8.1. Size:237K  vishay
 si4890dy.pdf pdf_icon

SI4890BDY

Si4890DY Vishay Siliconix N-Channel Reduced Qg, Fast Switching MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Definition 0.012 at VGS = 10 V 11 TrenchFET Power MOSFETs 30 0.020 at VGS = 4.5 V 9 High-Efficiency PWM Optimized Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC SO-8 D S D 1 8 S D 2 7 S D

 9.1. Size:244K  vishay
 si4896dy.pdf pdf_icon

SI4890BDY

Si4896DY Vishay Siliconix N-Channel 80-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Definition 0.0165 at VGS = 10 V 9.5 TrenchFET Power MOSFETs 80 0.022 at VGS = 6.0 V 8.3 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC D SO-8 S D 1 8 S D 2 7 G S D 3 6 G D 4 5 Top View S Ordering Information

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... SI4864DY, SI4866BDY, SI4866DY, SI4874BDY, SI4880DY, SI4884BDY, SI4886DY, SI4888DY, STP80NF70, SI4890DY, SI4892DY, SI4894BDY, SI4896DY, SI4904DY, SI4909DY, SI4913DY, SI4914BDY