SI5441BDC datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: SI5441BDC 📄📄
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.3 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.4 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 50 ns
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.045 Ohm
Тип корпуса: 1206-8
📄📄 Копировать
Аналог (замена) для SI5441BDC
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
SI5441BDC даташит
si5441bdc.pdf
Si5441BDC Vishay Siliconix P-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Qg (Typ.) Available 0.045 at VGS = - 4.5 V - 6.1 TrenchFET Power MOSFET 0.052 at VGS = - 3.6 V - 5.7 11.5 - 20 0.080 at VGS = - 2.5 V - 4.6 1206-8 ChipFET 1 D S D D D D Marking Code D G G BK XX S Lot Traceabil
si5441dc.pdf
Si5441DC Vishay Siliconix P-Channel 2.5 V (G-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Qg (Typ.) Definition 0.055 at VGS = - 4.5 V - 5.3 TrenchFET Power MOSFET 0.06 at VGS = - 3.6 V - 5.1 11 2.5 V Rated - 20 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC 0.083 at VGS = - 2.5 V - 4.3 1206-8 ChipFET 1
si5443dc.pdf
Si5443DC Vishay Siliconix P-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Available 0.065 at VGS = - 4.5 V 4.9 TrenchFET Power MOSFETs 2.5 V Rated 0.074 at VGS = - 3.6 V - 20 4.6 0.110 at VGS = - 2.5 V 3.8 1206 -8 ChipFET S 1 D D D D D G Marking Code D G BB XX Lot
si5445bdc.pdf
Si5445BDC Vishay Siliconix P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Qg (Typ.) Available 0.033 at VGS = - 4.5 V - 7.1 TrenchFET Power MOSFET 0.043 at VGS = - 2.5 V - 6.2 14 - 8 0.060 at VGS = - 1.8 V - 5.3 1206-8 ChipFET 1 D S D D D D Marking Code D G G BM XX S Lot Traceability
Другие IGBT... SI5418DU, SI5419DU, SI5424DC, SI5429DU, SI5432DC, SI5433BDC, SI5435BDC, SI5440DC, K2611, SI5441DC, SI5442DU, SI5443DC, SI5445BDC, SI5447DC, SI5449DC, SI5456DU, SI5457DC
History: DHS180N10LB | PD1503BV
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: BCD70N07A | BCD90N03 | BCD80N06 | T50N06 | H50N06 | BCD12N65 | BCT12N65 | BCD4N65 | BCT4N65 | BCD7N65 | BCT7N65 | BCT20N65 | ASDM30P100KQ | ASDM30N90Q | ASDM30N75KQ | ASDM30N150Q
Popular searches
p60nf06 | 2sa1837 | ksc1845 transistor | irf630 datasheet | mpsa13 equivalent | c5198 | 2sc1969 transistor | bcy21









