SI5936DU datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SI5936DU  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.3 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 65 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 70 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.03 Ohm

Тип корпуса: POWERPAK

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для SI5936DU

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SI5936DU даташит

 ..1. Size:151K  vishay
 si5936du.pdf pdf_icon

SI5936DU

New Product Si5936DU Vishay Siliconix Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( ) Max. ID (A)a Qg (Typ.) Thermally Enhanced PowerPAK ChipFET Package 0.030 at VGS = 10 V 6 - Small Footprint Area 30 3.5 nC - Low On-Resistance 0.040 at VGS = 4.5 V 6 - Thin 0.8 mm Profile 100 % Rg Tested Mater

 9.1. Size:238K  vishay
 si5933cd.pdf pdf_icon

SI5936DU

Si5933CDC Vishay Siliconix Dual P-Channel 20 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A)a Qg (Typ.) Definition 0.144 at VGS = - 4.5 V - 3.7 TrenchFET Power MOSFET 0.180 at VGS = - 2.5 V - 3.0 4.1 nC - 20 100 % Rg Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC 0.222 at VGS = - 1.8 V - 3.0 APPLICATI

 9.2. Size:130K  vishay
 si5938du.pdf pdf_icon

SI5936DU

Si5938DU Vishay Siliconix Dual N-Channel 20-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET 0.039 at VGS = 4.5 V 6 New Thermally Enhanced PowerPAK RoHS 0.045 at VGS = 2.5 V 20 6 6 nC ChipFET Package COMPLIANT - Small Footprint Area 0.055 at VGS = 1.8 V 6 - Low On-Resistance PowerPAK C

 9.3. Size:242K  vishay
 si5933cdc.pdf pdf_icon

SI5936DU

Si5933CDC Vishay Siliconix Dual P-Channel 20 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A)a Qg (Typ.) Definition 0.144 at VGS = - 4.5 V - 3.7 TrenchFET Power MOSFET 0.180 at VGS = - 2.5 V - 3.0 4.1 nC - 20 100 % Rg Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC 0.222 at VGS = - 1.8 V - 3.0 APPLICATI

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... SI5858DU, SI5902BDC, SI5904DC, SI5906DU, SI5908DC, SI5913DC, SI5933CDC, SI5935CDC, IRF4905, SI5944DU, SI5980DU, SI5997DU, SI5999EDU, SI6404DQ, SI6410DQ, SI6413DQ, SI6415DQ