Справочник MOSFET. SI5936DU

 

SI5936DU Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SI5936DU
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 65 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 70 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.03 Ohm
   Тип корпуса: POWERPAK
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SI5936DU Datasheet (PDF)

 ..1. Size:151K  vishay
 si5936du.pdf pdf_icon

SI5936DU

New Product Si5936DUVishay SiliconixDual N-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) () Max.ID (A)a Qg (Typ.) Thermally Enhanced PowerPAKChipFET Package0.030 at VGS = 10 V 6- Small Footprint Area30 3.5 nC- Low On-Resistance0.040 at VGS = 4.5 V 6- Thin 0.8 mm Profile 100 % Rg Tested Mater

 9.1. Size:238K  vishay
 si5933cd.pdf pdf_icon

SI5936DU

Si5933CDCVishay SiliconixDual P-Channel 20 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.144 at VGS = - 4.5 V - 3.7 TrenchFET Power MOSFET0.180 at VGS = - 2.5 V - 3.0 4.1 nC- 20 100 % Rg Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC0.222 at VGS = - 1.8 V - 3.0APPLICATI

 9.2. Size:130K  vishay
 si5938du.pdf pdf_icon

SI5936DU

Si5938DUVishay SiliconixDual N-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.039 at VGS = 4.5 V 6 New Thermally Enhanced PowerPAKRoHS0.045 at VGS = 2.5 V 20 6 6 nC ChipFET PackageCOMPLIANT- Small Footprint Area0.055 at VGS = 1.8 V 6- Low On-ResistancePowerPAK C

 9.3. Size:242K  vishay
 si5933cdc.pdf pdf_icon

SI5936DU

Si5933CDCVishay SiliconixDual P-Channel 20 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.144 at VGS = - 4.5 V - 3.7 TrenchFET Power MOSFET0.180 at VGS = - 2.5 V - 3.0 4.1 nC- 20 100 % Rg Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC0.222 at VGS = - 1.8 V - 3.0APPLICATI

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: RSM002N06 | NCEP028N85D | AP55T10GH-HF | MTB1D7N03ATH8 | 2SK610 | 2SK2525-01 | SWF4N100U

 

 
Back to Top

 


 
.