Справочник MOSFET. MDD1501RH

 

MDD1501RH MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: MDD1501RH
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 44.6 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2.7 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 67.4 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Время нарастания (tr): 12.2 ns
   Выходная емкость (Cd): 261 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0056 Ohm
   Тип корпуса: TO-252

 Аналог (замена) для MDD1501RH

 

 

MDD1501RH Datasheet (PDF)

 ..1. Size:672K  magnachip
mdd1501rh.pdf

MDD1501RH MDD1501RH

MDD1501 Single N-channel Trench MOSFET 30V, 67.4A, 5.6mGeneral Description Features The MDD1501 uses advanced MagnaChips MOSFET V = 30V DSTechnology, which provides high performance in on-state I = 67.4A @V = 10V D GSresistance, fast switching performance and excellent R DS(ON) (MAX)quality. MDD1501 is suitable device for DC to DC

 8.1. Size:661K  magnachip
mdd1504rh.pdf

MDD1501RH MDD1501RH

MDD1504 Single N-channel Trench MOSFET 30V, 31.5A, 12.7m Features General Description The MDD1504 uses advanced MagnaChips MOSFET V = 30V DSTechnology, which provides high performance in on-state I = 31.5A @V = 10V D GSresistance, fast switching performance and excellent R DS(ON) (MAX)quality. MDD1504 is suitable device for DC to DC

 8.2. Size:661K  magnachip
mdd1502rh.pdf

MDD1501RH MDD1501RH

MDD1502 Single N-channel Trench MOSFET 30V, 45.7A, 8.5mGeneral Description Features The MDD1502 uses advanced MagnaChips MOSFET V = 30V DSTechnology, which provides high performance in on-state I = 45.7A @V = 10V D GSresistance, fast switching performance and excellent R DS(ON) (MAX)quality. MDD1502 is suitable device for DC to DC

 8.3. Size:656K  magnachip
mdd1503rh.pdf

MDD1501RH MDD1501RH

MDD1503 Single N-channel Trench MOSFET 30V, 87.5A, 4.7m Features General Description The MDD1503 uses advanced MagnaChips MOSFET V = 30V DSTechnology, which provides high performance in on-state I = 87.5A @V = 10V D GSresistance, fast switching performance and excellent R DS(ON) (MAX)quality. MDD1503 is suitable device for DC to DC

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: QM4006D

 

 
Back to Top