MDD1501RH - описание и поиск аналогов

 

MDD1501RH. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MDD1501RH

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 44.6 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 67.4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 12.2 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 261 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0056 Ohm

Тип корпуса: TO-252

Аналог (замена) для MDD1501RH

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MDD1501RH даташит

 ..1. Size:672K  magnachip
mdd1501rh.pdfpdf_icon

MDD1501RH

MDD1501 Single N-channel Trench MOSFET 30V, 67.4A, 5.6m General Description Features The MDD1501 uses advanced MagnaChip s MOSFET V = 30V DS Technology, which provides high performance in on-state I = 67.4A @V = 10V D GS resistance, fast switching performance and excellent R DS(ON) (MAX) quality. MDD1501 is suitable device for DC to DC

 8.1. Size:661K  magnachip
mdd1504rh.pdfpdf_icon

MDD1501RH

MDD1504 Single N-channel Trench MOSFET 30V, 31.5A, 12.7m Features General Description The MDD1504 uses advanced MagnaChip s MOSFET V = 30V DS Technology, which provides high performance in on-state I = 31.5A @V = 10V D GS resistance, fast switching performance and excellent R DS(ON) (MAX) quality. MDD1504 is suitable device for DC to DC

 8.2. Size:661K  magnachip
mdd1502rh.pdfpdf_icon

MDD1501RH

MDD1502 Single N-channel Trench MOSFET 30V, 45.7A, 8.5m General Description Features The MDD1502 uses advanced MagnaChip s MOSFET V = 30V DS Technology, which provides high performance in on-state I = 45.7A @V = 10V D GS resistance, fast switching performance and excellent R DS(ON) (MAX) quality. MDD1502 is suitable device for DC to DC

 8.3. Size:656K  magnachip
mdd1503rh.pdfpdf_icon

MDD1501RH

MDD1503 Single N-channel Trench MOSFET 30V, 87.5A, 4.7m Features General Description The MDD1503 uses advanced MagnaChip s MOSFET V = 30V DS Technology, which provides high performance in on-state I = 87.5A @V = 10V D GS resistance, fast switching performance and excellent R DS(ON) (MAX) quality. MDD1503 is suitable device for DC to DC

Другие MOSFET... RU190N08Q , RU190N08R , RU190N08S , MDA0531EURH , MDC0531EURH , MDCA0418EURH , MDD1051RH , MDD14N25CRH , P60NF06 , MDD1502RH , MDD1503RH , MDD1504RH , MDD1752RH , MDD1754RH , MDD1851RH , MDD1901RH , MDD1902RH .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.