MDD1501RH Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: MDD1501RH
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 44.6 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 67.4 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 12.2 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 261 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0056 Ohm
Тип корпуса: TO-252
Аналог (замена) для MDD1501RH
MDD1501RH Datasheet (PDF)
mdd1501rh.pdf

MDD1501 Single N-channel Trench MOSFET 30V, 67.4A, 5.6mGeneral Description Features The MDD1501 uses advanced MagnaChips MOSFET V = 30V DSTechnology, which provides high performance in on-state I = 67.4A @V = 10V D GSresistance, fast switching performance and excellent R DS(ON) (MAX)quality. MDD1501 is suitable device for DC to DC
mdd1504rh.pdf

MDD1504 Single N-channel Trench MOSFET 30V, 31.5A, 12.7m Features General Description The MDD1504 uses advanced MagnaChips MOSFET V = 30V DSTechnology, which provides high performance in on-state I = 31.5A @V = 10V D GSresistance, fast switching performance and excellent R DS(ON) (MAX)quality. MDD1504 is suitable device for DC to DC
mdd1502rh.pdf

MDD1502 Single N-channel Trench MOSFET 30V, 45.7A, 8.5mGeneral Description Features The MDD1502 uses advanced MagnaChips MOSFET V = 30V DSTechnology, which provides high performance in on-state I = 45.7A @V = 10V D GSresistance, fast switching performance and excellent R DS(ON) (MAX)quality. MDD1502 is suitable device for DC to DC
mdd1503rh.pdf

MDD1503 Single N-channel Trench MOSFET 30V, 87.5A, 4.7m Features General Description The MDD1503 uses advanced MagnaChips MOSFET V = 30V DSTechnology, which provides high performance in on-state I = 87.5A @V = 10V D GSresistance, fast switching performance and excellent R DS(ON) (MAX)quality. MDD1503 is suitable device for DC to DC
Другие MOSFET... RU190N08Q , RU190N08R , RU190N08S , MDA0531EURH , MDC0531EURH , MDCA0418EURH , MDD1051RH , MDD14N25CRH , AO3401 , MDD1502RH , MDD1503RH , MDD1504RH , MDD1752RH , MDD1754RH , MDD1851RH , MDD1901RH , MDD1902RH .
History: NTDV18N06LT4G | 2SK3153 | AP10TN040H | SI4410DYPBF | NCE60N700D | 2SK2943 | 2SK1865
History: NTDV18N06LT4G | 2SK3153 | AP10TN040H | SI4410DYPBF | NCE60N700D | 2SK2943 | 2SK1865



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSL1010PU | JMSL1010PP | JMSL1010PKS | JMSL1010PK | JMSL1010PGS | JMSL1010PGQ | JMSL1010PGD | JMSL1010PG | JMSL1010PE | JMSL1010PC | JMSL1010AUQ | JMSL1010AU | JMSL1010AP | JMSL1010AKQ | JMSL1010AK | JMSL1010AGQ
Popular searches
irfz48 | bf494 transistor equivalent | 2sc458 pinout | bc183l | tip35 datasheet | tip36c datasheet | 2sc461 | hy1906