MDD1904RH - описание и поиск аналогов

 

MDD1904RH. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MDD1904RH

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 35.8 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10.8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 3.6 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 51 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.14 Ohm

Тип корпуса: TO-252

Аналог (замена) для MDD1904RH

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MDD1904RH даташит

 ..1. Size:992K  magnachip
mdd1904rh.pdfpdf_icon

MDD1904RH

MDD1904 Single N-channel Trench MOSFET 100V, 10.8A, 140m General Description Features The MDD1904 uses advanced MagnaChip s MOSFET V = 100V DS Technology, which provides high performance in on-state I = 10.8A @V = 10V D GS resistance, fast switching performance and excellent R DS(ON) (MAX) quality. MDD1904 is suitable device for DC to DC

 8.1. Size:881K  magnachip
mdd1902rh.pdfpdf_icon

MDD1904RH

MDD1902 Single N-channel Trench MOSFET 100V, 40A, 28m General Description Features The MDD1902 uses advanced MagnaChip s MOSFET VDS = 100V Technology, which provides high performance in on-state I = 40A @V = 10V D GS resistance, fast switching performance and excellent R DS(ON) quality. MDD1902 is suitable device for DC/DC

 8.2. Size:802K  magnachip
mdd1903rh.pdfpdf_icon

MDD1904RH

MDD1903 Single N-channel Trench MOSFET 100V, 12.8A, 105m General Description Features The MDD1903 uses advanced MagnaChip s MOSFET V = 100V DS Technology, which provides high performance in on-state I = 12.8A @V = 10V D GS resistance, fast switching performance and excellent R DS(ON) (MAX) quality. MDD1903 is suitable device for DC to DC

 8.3. Size:841K  magnachip
mdd1901rh.pdfpdf_icon

MDD1904RH

MDD1901 Single N-channel Trench MOSFET 100V, 40A, 22m General Description Features The MDD1901 uses advanced MagnaChip s MOSFET VDS = 100V Technology, which provides high performance in on-state I = 40A @V = 10V D GS resistance, fast switching performance and excellent R DS(ON) quality. MDD1901 is suitable device for DC/DC

Другие MOSFET... MDD1503RH , MDD1504RH , MDD1752RH , MDD1754RH , MDD1851RH , MDD1901RH , MDD1902RH , MDD1903RH , IRLB3034 , MDD1951RH , MDD2N60RH , MDD3752ARH , MDD3752RH , MDD3754RH , MDD3N40RH , MDD3N50GRH , MDD4N20YRH .

History: SVSP11N70SD2 | PZD502CMA | APT12067B2LL

 

 

 

 

↑ Back to Top
.