Справочник MOSFET. MDD4N20YRH

 

MDD4N20YRH Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MDD4N20YRH
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 27 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 3.2 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 38 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 42.7 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.35 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
 

 Аналог (замена) для MDD4N20YRH

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MDD4N20YRH Datasheet (PDF)

 ..1. Size:799K  magnachip
 mdd4n20yrh.pdf pdf_icon

MDD4N20YRH

MDD4N20YN-Channel MOSFET 200V, 3.0A, 1.35General Description Features The MDD4N20Y uses advanced Magnachips VDS = 200V MOSFET Technology, which provides low on-state ID = 3.0A @VGS = 10V resistance, high switching performance and RDS(ON) 1.35 @VGS = 10V excellent quality. MDD4N20Y is suitable device for SMPS, high Speed switching and general purpose applicat

 8.1. Size:834K  magnachip
 mdd4n25rh.pdf pdf_icon

MDD4N20YRH

MDD4N25 N-Channel MOSFET 250V, 3.0A, 1.75 General Description Features The MDD4N25 uses advanced Magnachips V = 250V DSMOSFET Technology, which provides low on-state I = 3.0A Dresistance, high switching performance and RDS(ON) 1.75 @VGS = 10V excellent quality. MDD4N25 is suitable device for SMPS, HID and Applications general purpose applicatio

 9.1. Size:842K  magnachip
 mdd4n60brh mdi4n60bth.pdf pdf_icon

MDD4N20YRH

MDD4N60 / MDI4N60B N-Channel MOSFET 600V, 3.5A, 2.0General Description Features The MDD/I4N60B uses advanced Magnachips MOSFET VDS = 600V Technology, which provides low on-state resistance, high ID = 3.5A @ VGS = 10V switching performance and excellent quality. RDS(ON) 2.0 @ VGS = 10V MDD/I4N60B is suitable device for SMPS, HID and general Applications

Другие MOSFET... MDD1904RH , MDD1951RH , MDD2N60RH , MDD3752ARH , MDD3752RH , MDD3754RH , MDD3N40RH , MDD3N50GRH , HY1906P , MDD4N25RH , MDD4N60BRH , MDD5N40RH , MDD5N50FRH , MDD5N50RH , MDD5N50ZRH , MDD6N60GRH , MDD7N20CRH .

 

 
Back to Top

 


 
.