Справочник MOSFET. MDP1932TH

 

MDP1932TH Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MDP1932TH
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 209 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 120 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 105 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 65 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1.55 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0034 Ohm
   Тип корпуса: TO-220
 

 Аналог (замена) для MDP1932TH

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MDP1932TH Datasheet (PDF)

 ..1. Size:985K  magnachip
 mdp1932th.pdf pdf_icon

MDP1932TH

MDP1932 Single N-channel Trench MOSFET 80V, 120A, 3.4m General Description Features The MDP1932 uses advanced MagnaChips MOSFET V = 80V DSTechnology, which provides high performance in on-state I = 120A @V = 10V D GSresistance, fast switching performance and excellent R DS(ON)quality. MDP1932 is suitable device for Synchronous

 8.1. Size:1058K  magnachip
 mdp1933th.pdf pdf_icon

MDP1932TH

MDP1933 Single N-channel Trench MOSFET 80V, 105A, 7.0m General Description Features The MDP1933 uses advanced MagnaChips MOSFET V = 80V DSTechnology, which provides high performance in on-state I = 105A @V = 10V D GSresistance, fast switching performance and excellent R DS(ON)quality. MDP1933 is suitable device for Synchronous

 8.2. Size:1085K  magnachip
 mdp1930th.pdf pdf_icon

MDP1932TH

MDP1930 Single N-channel Trench MOSFET 80V, 120A, 2.5m General Description Features The MDP1930 uses advanced MagnaChips MOSFET V = 80V DSTechnology, which provides high performance in on-state I = 120A @V = 10V D GSresistance, fast switching performance and excellent R DS(ON)quality. MDP1930 is suitable device for Synchronous

 8.3. Size:288K  inchange semiconductor
 mdp1933th.pdf pdf_icon

MDP1932TH

isc N-Channel MOSFET Transistor MDP1933THFEATURESDrain Current : I = 105A@ T =25D CDrain Source Voltage: V = 80V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 7m(Max) @V = 10VDS(on) GS100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONmotor drive, DC-DC converter, power switchand solenoi

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... MDP16N50GTH , MDP1723TH , MDP18N50BTH , MDP1901TH , MDP1921TH , MDP1922TH , MDP1923TH , MDP1930TH , AON7403 , MDP1933TH , MDP2N60TH , MDP2N60TP , MDP4N60TH , MDP4N60TP , MDP5N50BTH , MDP5N50FTH , MDP5N50ZTH .

 

 
Back to Top

 


 
.