MSD4N70 - описание и поиск аналогов

 

MSD4N70. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MSD4N70

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 55 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 700 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 35 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 60 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.4 Ohm

Тип корпуса: TO-252

Аналог (замена) для MSD4N70

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MSD4N70 даташит

 ..1. Size:875K  bruckewell
 msd4n70.pdf pdf_icon

MSD4N70

 9.1. Size:824K  bruckewell
 msd4n60.pdf pdf_icon

MSD4N70

MSD4N60 600V N-Channel MOSFET Description The MSD4N60 is a N-channel enhancement-mode MOSFET , providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost effectiveness. The TO-252 package is universally preferred for all commercial-industrial applications Features Low On Resistance Simple Drive Requireme

 9.2. Size:937K  bruckewell
 msd4n40.pdf pdf_icon

MSD4N70

Другие MOSFET... MSD23N58 , MSD2N60 , MSD2N70 , MSD30N06 , MSD30P06 , MSD40P03 , MSD4N40 , MSD4N60 , 60N06 , MSD50N03 , MSD50N10 , MSD80N03 , MSE20N06N , MSF10N40 , MSF10N60 , MSF10N65 , MSF10N80 .

History: MDU2511SVRH

 

 

 

 

↑ Back to Top
.