Справочник MOSFET. MSF4N60

 

MSF4N60 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MSF4N60
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 31 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 40 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 55 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.5 Ohm
   Тип корпуса: TO-220F
 

 Аналог (замена) для MSF4N60

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MSF4N60 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:911K  bruckewell
 msf4n60.pdf pdf_icon

MSF4N60

MSF4N60 MSF4N60 600V N-Channel MOSFET General Description The MSF4N60 is a N-channel enhancement-mode MOSFET , providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost effectiveness. The TO-220F package is universally preferred for all commercial-industrial applications Features Low On Resistance Simpl

 0.1. Size:992K  bruckewell
 msf4n60l.pdf pdf_icon

MSF4N60

MSF4N60L 600V N-Channel MOSFET Description The MSF4N60L is a N-channel enhancement-mode MOSFET , providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost effectiveness. The TO-220F package is universally preferred for all commercial-industrial applications Features Low On Resistance Simple Drive Requir

 8.1. Size:1173K  bruckewell
 msf4n65.pdf pdf_icon

MSF4N60

MSF4N65 650V N-Channel MOSFET Description The MSF4N65 is a N-channel enhancement-mode MOSFET , providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost effectiveness. The TO-220F package is universally preferred for all commercial-industrial applications Features Originative New Design 100% EAS Test

 9.1. Size:244K  motorola
 mmsf4n01hd.pdf pdf_icon

MSF4N60

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MMSF4N01HD/DDesigner's Data SheetMMSF4N01HDMedium Power Surface Mount ProductsMotorola Preferred DeviceTMOS Single N-ChannelField Effect TransistorsTMOS MOSFETMiniMOS devices are an advanced series of power MOSFETs 5.8 AMPERESwhich utilize Motorolas High Cell Density HDTMOS process. 20 VOLTSThese mi

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... MSF15N60 , MSF16N50 , MSF18N50 , MSF20N50 , MSF2N40 , MSF2N60 , MSF2N70 , MSF3N80 , P55NF06 , MSF4N60L , MSF4N65 , MSF5N50 , MSF5N60 , MSF6N40 , MSF6N60 , MSF6N65 , MSF6N70 .

History: STV200N55F3 | CED3172 | SM2F07NSU | SPI15N60CFD | CEU83A3 | AOTF20C60P | 2SK1546

 

 
Back to Top

 


 
.