MSF4N60L datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: MSF4N60L  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 31 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 40 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 121.7 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.4 Ohm

Тип корпуса: TO-220F

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для MSF4N60L

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MSF4N60L даташит

 ..1. Size:992K  bruckewell
 msf4n60l.pdf pdf_icon

MSF4N60L

MSF4N60L 600V N-Channel MOSFET Description The MSF4N60L is a N-channel enhancement-mode MOSFET , providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost effectiveness. The TO-220F package is universally preferred for all commercial-industrial applications Features Low On Resistance Simple Drive Requir

 7.1. Size:911K  bruckewell
 msf4n60.pdf pdf_icon

MSF4N60L

MSF4N60 MSF4N60 600V N-Channel MOSFET General Description The MSF4N60 is a N-channel enhancement-mode MOSFET , providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost effectiveness. The TO-220F package is universally preferred for all commercial-industrial applications Features Low On Resistance Simpl

 8.1. Size:1173K  bruckewell
 msf4n65.pdf pdf_icon

MSF4N60L

MSF4N65 650V N-Channel MOSFET Description The MSF4N65 is a N-channel enhancement-mode MOSFET , providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost effectiveness. The TO-220F package is universally preferred for all commercial-industrial applications Features Originative New Design 100% EAS Test

 9.1. Size:244K  motorola
 mmsf4n01hd.pdf pdf_icon

MSF4N60L

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MMSF4N01HD/D Designer's Data Sheet MMSF4N01HD Medium Power Surface Mount Products Motorola Preferred Device TMOS Single N-Channel Field Effect Transistors TMOS MOSFET MiniMOS devices are an advanced series of power MOSFETs 5.8 AMPERES which utilize Motorola s High Cell Density HDTMOS process. 20 VOLTS These mi

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... MSF16N50, MSF18N50, MSF20N50, MSF2N40, MSF2N60, MSF2N70, MSF3N80, MSF4N60, 10N60, MSF4N65, MSF5N50, MSF5N60, MSF6N40, MSF6N60, MSF6N65, MSF6N70, MSF6N90