MSF5N50 datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: MSF5N50 📄📄
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 38 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.5 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 80 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.5 Ohm
Тип корпуса: TO-220F
📄📄 Копировать
Аналог (замена) для MSF5N50
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
MSF5N50 даташит
msf5n50.pdf
MSF5N50 500V N-Channel MOSFET Description The MSF5N50 is a N-channel enhancement-mode MOSFET , providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost effectiveness. The TO-220F package is universally preferred for all commercial-industrial applications Features Low On Resistance Simple Drive Requirem
mmsf5n02hd.pdf
MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MMSF5N02HD/D Designer's Data Sheet MMSF5N02HD Medium Power Surface Mount Products Motorola Preferred Device TMOS Single N-Channel Field Effect Transistors SINGLE TMOS POWER MOSFET MiniMOS devices are an advanced series of power MOSFETs 5.0 AMPERES which utilize Motorola s High Cell Density HDTMOS process. 20 V
mmsf5n03hd.pdf
MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MMSF5N03HD/D Designer's Data Sheet MMSF5N03HD Medium Power Surface Mount Products Motorola Preferred Device TMOS Single N-Channel Field Effect Transistors SINGLE TMOS POWER MOSFET MiniMOS devices are an advanced series of power MOSFETs 5.0 AMPERES which utilize Motorola s High Cell Density HDTMOS process. 30 V
mmsf5n02hdrev5.pdf
MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MMSF5N02HD/D Designer's Data Sheet MMSF5N02HD Medium Power Surface Mount Products Motorola Preferred Device TMOS Single N-Channel Field Effect Transistors SINGLE TMOS POWER MOSFET MiniMOS devices are an advanced series of power MOSFETs 5.0 AMPERES which utilize Motorola s High Cell Density HDTMOS process. 20 V
Другие IGBT... MSF20N50, MSF2N40, MSF2N60, MSF2N70, MSF3N80, MSF4N60, MSF4N60L, MSF4N65, IRFB4115, MSF5N60, MSF6N40, MSF6N60, MSF6N65, MSF6N70, MSF6N90, MSF7N60, MSF7N65
History: SI5913DC | MSU7N60F
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: BCD70N07A | BCD90N03 | BCD80N06 | T50N06 | H50N06 | BCD12N65 | BCT12N65 | BCD4N65 | BCT4N65 | BCD7N65 | BCT7N65 | BCT20N65 | ASDM30P100KQ | ASDM30N90Q | ASDM30N75KQ | ASDM30N150Q
Popular searches
2sb681 | bc639 equivalent | bd138 transistor equivalent | c1096 transistor | c1345 transistor | jcs640c | kn2907a | ncep028n85 datasheet







