MSF6N60 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: MSF6N60  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 33 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 12.2 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 86 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.3 Ohm

Тип корпуса: TO-220F

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для MSF6N60

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MSF6N60 даташит

 ..1. Size:848K  bruckewell
 msf6n60.pdf pdf_icon

MSF6N60

MSF6N60 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The MSF6N60 is a N-channel enhancement-mode MOSFET , providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost effectiveness. The TO-220F package is universally preferred for all commercial-industrial applications Features Low On Resistance Sim

 8.1. Size:427K  bruckewell
 msf6n65.pdf pdf_icon

MSF6N60

MSF6N65 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The MSF6N65 is a N-channel enhancement-mode MOSFET , providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost effectiveness. The TO-220F package is universally preferred for all commercial-industrial applications Features Low On Resistance Sim

 9.1. Size:1096K  bruckewell
 msf6n90.pdf pdf_icon

MSF6N60

MSF6N90 900V N-Channel MOSFET Description The MS15N50 is a N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost effectiveness. The ITO-220 package is universally preferred for all commercial-industrial applications Features RDS(on) (Max 2.4 )@VGS=10V Gate Charg

 9.2. Size:813K  bruckewell
 msf6n70.pdf pdf_icon

MSF6N60

MSF6N70 700V N-Channel MOSFET Description The MSF6N70 is a N-channel enhancement-mode MOSFET , providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost effectiveness. The TO-220F package is universally preferred for all commercial-industrial applications Features Low On Resistance Simple Drive Requirem

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... MSF2N70, MSF3N80, MSF4N60, MSF4N60L, MSF4N65, MSF5N50, MSF5N60, MSF6N40, 8205A, MSF6N65, MSF6N70, MSF6N90, MSF7N60, MSF7N65, MSF7N80, MSF8N50, MSF8N60