Справочник MOSFET. MSW20N60

 

MSW20N60 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MSW20N60
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 320 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 200 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 410 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.32 Ohm
   Тип корпуса: TO-3P TO-247
 

 Аналог (замена) для MSW20N60

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MSW20N60 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:453K  bruckewell
 msw20n60.pdf pdf_icon

MSW20N60

Preliminary MSW20N60 500V N-Channel MOSFET Description This latest technology has been especially designed to minimize on-state resistance, have a high rugged avalanche characteristics. These devices are well suited for high efficiency switch mode power supplies. Features RDS(on) (Typical 0.26 )@VGS=10V Gate Charge (Typical 80nC) Improved dv/dt Capability, High

 8.1. Size:823K  bruckewell
 msw20n50.pdf pdf_icon

MSW20N60

MSW20N50 500V N-Channel MOSFET Description This latest technology has been especially designed to minimize on-state resistance, have a high rugged avalanche characteristics. These devices are well suited for high efficiency switch mode power supplies. Features RDS(on) (Typical 0.26 )@VGS=10V Gate Charge (Typical 90nC) Improved dv/dt Capability, High Ruggedness

Другие MOSFET... MSU7N60F , MSU7N60T , MSU8N50Q , MSU9N90P , MSW10N80 , MSW11N90 , MSW16N50 , MSW20N50 , AO4468 , MSW9N90 , MTA090N02KC3 , MTA340N02KC3 , MTA55N20J3 , MTB070P15J3 , MTB080N15J3 , MTB09P03E3 , MTB09P04DJ3 .

History: NCE1570 | AMA430N

 

 
Back to Top

 


 
.