Справочник MOSFET. MSW20N60

 

MSW20N60 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: MSW20N60

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 320 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 600 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V

Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V

Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 20 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Время нарастания (tr): 200 ns

Выходная емкость (Cd): 410 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.32 Ohm

Тип корпуса: TO-3P TO-247

Аналог (замена) для MSW20N60

 

 

MSW20N60 Datasheet (PDF)

0.1. msw20n60.pdf Size:453K _bruckewell

MSW20N60
MSW20N60

Preliminary MSW20N60 500V N-Channel MOSFET Description This latest technology has been especially designed to minimize on-state resistance, have a high rugged avalanche characteristics. These devices are well suited for high efficiency switch mode power supplies. Features RDS(on) (Typical 0.26 )@VGS=10V Gate Charge (Typical 80nC) Improved dv/dt Capability, High

8.1. msw20n50.pdf Size:823K _bruckewell

MSW20N60
MSW20N60

MSW20N50 500V N-Channel MOSFET Description This latest technology has been especially designed to minimize on-state resistance, have a high rugged avalanche characteristics. These devices are well suited for high efficiency switch mode power supplies. Features RDS(on) (Typical 0.26 )@VGS=10V Gate Charge (Typical 90nC) Improved dv/dt Capability, High Ruggedness

 

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , J310 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top