MTB6D0N03BH8 - аналоги и даташиты транзистора

 

MTB6D0N03BH8 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: MTB6D0N03BH8
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 56 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 14.6 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 167 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.009 Ohm
   Тип корпуса: DFN5X6
 

 Аналог (замена) для MTB6D0N03BH8

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MTB6D0N03BH8 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:425K  cystek
 mtb6d0n03bh8.pdf pdf_icon

MTB6D0N03BH8

Spec. No. : CA00H8 Issued Date : 2015.02.13 CYStech Electronics Corp. Revised Date : Page No. : 1/9 N-Channel Logic Level Enhancement Mode Power MOSFET MTB6D0N03BH8BVDSS 30VID 56ARDS(ON)@VGS=10V, ID=25A 6.4 m(typ) Features RDS(ON)@VGS=4.5V, ID=20A 10.4 m(typ) Single Drive Requirement Low On-resistance Fast Switching Characteristic Dynamic dv/dt

 5.1. Size:424K  cystek
 mtb6d0n03ath8.pdf pdf_icon

MTB6D0N03BH8

Spec. No. : C709H8 Issued Date : 2014.04.30 CYStech Electronics Corp. Revised Date : Page No. : 1/9 N-Channel Logic Level Enhancement Mode Power MOSFET MTB6D0N03ATH8BVDSS 30VID 56ARDS(ON)@VGS=10V, ID=25A 6.8 m(typ) Features RDS(ON)@VGS=4.5V, ID=20A 10.4 m(typ) Single Drive Requirement Low On-resistance Fast Switching Characteristic Dynamic dv/d

 5.2. Size:361K  cystek
 mtb6d0n03atv8.pdf pdf_icon

MTB6D0N03BH8

Spec. No. : C709V8 Issued Date : 2013.10.23 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/9 N-Channel Logic Level Enhancement Mode Power MOSFET MTB6D0N03ATV8BVDSS 30VID 12.5A6.7m VGS=10V, ID=12A RDSON(TYP) Features 9.7m VGS=4.5V, ID=8A Single Drive Requirement Low On-resistance Fast Switching Characteristic Dynamic dv/dt rating

 5.3. Size:425K  cystek
 mtb6d0n03ah8.pdf pdf_icon

MTB6D0N03BH8

Spec. No. : C709H8 Issued Date : 2014.03.13 CYStech Electronics Corp. Revised Date : 2014.04.30 Page No. : 1/9 N-Channel Logic Level Enhancement Mode Power MOSFET MTB6D0N03AH8BVDSS 30VID 56ARDS(ON)@VGS=10V, ID=25A 6.8 m(typ) Features RDS(ON)@VGS=4.5V, ID=20A 10.4 m(typ) Single Drive Requirement Low On-resistance Fast Switching Characteristic Dy

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... MTB30P06VT4G , MTB3D0N03BH8 , MTB50P03HDLG , MTB50P03HDLT4 , MTB50P03HDLT4G , MTB5D0P03J3 , MTB5D0P03Q8 , MTB60P15H8 , IRFB4115 , MTB75N05HDT4 , MTBA5C10V8 , MTBA6C12Q8 , MTBA6C15J4 , MTBA6C15Q8 , APM1105NU , APM1106K , APM1110K .

 

 
Back to Top

 


 
.