APQ07SN60AF - описание и поиск аналогов

 

APQ07SN60AF. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: APQ07SN60AF

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 48 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 115 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.1 Ohm

Тип корпуса: TO-220F

Аналог (замена) для APQ07SN60AF

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

APQ07SN60AF даташит

 ..1. Size:663K  alpha pacific
 apq07sn60af.pdf pdf_icon

APQ07SN60AF

DEVICE SPECIFICATION APQ07SN60AH APQ07SN60AF 600V/7A N-Channel MOSFET 1 Description 2 Features These N-Channel enhancement mode power field 600V / 7A effect transistors are produced using planar stripe, RDS(on) =0.9 (typ.) VGS =10V, ID =3.5A DMOS technology. Fast switching This advanced technology has been especially 100% avalanche tested tailored t

 4.1. Size:663K  alpha pacific
 apq07sn60ah.pdf pdf_icon

APQ07SN60AF

DEVICE SPECIFICATION APQ07SN60AH APQ07SN60AF 600V/7A N-Channel MOSFET 1 Description 2 Features These N-Channel enhancement mode power field 600V / 7A effect transistors are produced using planar stripe, RDS(on) =0.9 (typ.) VGS =10V, ID =3.5A DMOS technology. Fast switching This advanced technology has been especially 100% avalanche tested tailored t

 6.1. Size:745K  alpha pacific
 apq07sn65ah.pdf pdf_icon

APQ07SN60AF

DEVICE SPECIFICATION APQ07SN65AH APQ07SN65AF 650V/7A N-Channel MOSFET 1 Description 2 Features These N-Channel enhancement mode power 650V / 7A field effect transistors are produced using planar RDS(on) = 1.0 (typ) VGS = 10 V ,ID =3.45A stripe, DMOS technology. Fast switching This advanced technology has been especially 100% avalanche tested tailo

 6.2. Size:745K  alpha pacific
 apq07sn65af.pdf pdf_icon

APQ07SN60AF

DEVICE SPECIFICATION APQ07SN65AH APQ07SN65AF 650V/7A N-Channel MOSFET 1 Description 2 Features These N-Channel enhancement mode power 650V / 7A field effect transistors are produced using planar RDS(on) = 1.0 (typ) VGS = 10 V ,ID =3.45A stripe, DMOS technology. Fast switching This advanced technology has been especially 100% avalanche tested tailo

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... APQ04SN60CH , APQ05SN60A , APQ05SN60AF , APQ06SN60A , APQ06SN60AF , APQ06SN60AH , APQ06SN65AF , APQ06SN65AH , 8N60 , APQ07SN60AH , APQ07SN65AF , APQ07SN65AH , APQ07SN80BF , APQ07SN80BH , APQ08SN50B , APQ08SN50BE , APQ08SN50BF .

History: KHB019N20F1

 

 

 

 

↑ Back to Top
.