Справочник MOSFET. APQ07SN60AH

 

APQ07SN60AH Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: APQ07SN60AH
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 152 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 31.3 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 48 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 115 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.1 Ohm
   Тип корпуса: TO-220
 

 Аналог (замена) для APQ07SN60AH

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

APQ07SN60AH Datasheet (PDF)

 ..1. Size:663K  alpha pacific
 apq07sn60ah.pdf pdf_icon

APQ07SN60AH

DEVICE SPECIFICATION APQ07SN60AH APQ07SN60AF 600V/7A N-Channel MOSFET1 Description 2 Features These N-Channel enhancement mode power field 600V / 7A effect transistors are produced using planar stripe, RDS(on) =0.9 (typ.)VGS =10V, ID =3.5A DMOS technology. Fast switching This advanced technology has been especially 100% avalanche tested tailored t

 4.1. Size:663K  alpha pacific
 apq07sn60af.pdf pdf_icon

APQ07SN60AH

DEVICE SPECIFICATION APQ07SN60AH APQ07SN60AF 600V/7A N-Channel MOSFET1 Description 2 Features These N-Channel enhancement mode power field 600V / 7A effect transistors are produced using planar stripe, RDS(on) =0.9 (typ.)VGS =10V, ID =3.5A DMOS technology. Fast switching This advanced technology has been especially 100% avalanche tested tailored t

 6.1. Size:745K  alpha pacific
 apq07sn65ah.pdf pdf_icon

APQ07SN60AH

DEVICE SPECIFICATION APQ07SN65AH APQ07SN65AF 650V/7A N-Channel MOSFET1 Description 2 Features These N-Channel enhancement mode power 650V / 7A field effect transistors are produced using planar RDS(on) = 1.0(typ)VGS = 10 V ,ID =3.45A stripe, DMOS technology. Fast switching This advanced technology has been especially 100% avalanche tested tailo

 6.2. Size:745K  alpha pacific
 apq07sn65af.pdf pdf_icon

APQ07SN60AH

DEVICE SPECIFICATION APQ07SN65AH APQ07SN65AF 650V/7A N-Channel MOSFET1 Description 2 Features These N-Channel enhancement mode power 650V / 7A field effect transistors are produced using planar RDS(on) = 1.0(typ)VGS = 10 V ,ID =3.45A stripe, DMOS technology. Fast switching This advanced technology has been especially 100% avalanche tested tailo

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... APQ05SN60A , APQ05SN60AF , APQ06SN60A , APQ06SN60AF , APQ06SN60AH , APQ06SN65AF , APQ06SN65AH , APQ07SN60AF , AO3401 , APQ07SN65AF , APQ07SN65AH , APQ07SN80BF , APQ07SN80BH , APQ08SN50B , APQ08SN50BE , APQ08SN50BF , APQ08SN50BH .

History: IPW65R420CFD | LND20N65

 

 
Back to Top

 


 
.