APQ12SN65AH - описание и поиск аналогов

 

APQ12SN65AH. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: APQ12SN65AH

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 216 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 70 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 189 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.83 Ohm

Тип корпуса: TO-220

Аналог (замена) для APQ12SN65AH

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

APQ12SN65AH даташит

 ..1. Size:706K  alpha pacific
 apq12sn65af apq12sn65ah.pdf pdf_icon

APQ12SN65AH

DEVICE SPECIFICATION APQ12SN65AH APQ12SN65AF 650V/12A N-Channel MOSFET 1 Description 2 Features These N-Channel enhancement mode power 650V / 12A field effect transistors are produced using planar RDS(on) = 0.6 (typ) VGS = 10 V ,ID =6A stripe, DMOS technology. Fast switching This advanced technology has been especially 100% avalanche tested tailor

 6.1. Size:754K  alpha pacific
 apq12sn60ah.pdf pdf_icon

APQ12SN65AH

DEVICE SPECIFICATION APQ12SN60AH APQ12SN60AF 600V/12A N-Channel MOSFET 1 Description 2 Features These N-Channel enhancement mode power 600V / 12A field effect transistors are produced using planar RDS(on) = 0.52 (typ) VGS = 10 V ,ID =7.2A stripe, DMOS technology. Fast switching This advanced technology has been especially 100% avalanche tested tai

 6.2. Size:754K  alpha pacific
 apq12sn60af.pdf pdf_icon

APQ12SN65AH

DEVICE SPECIFICATION APQ12SN60AH APQ12SN60AF 600V/12A N-Channel MOSFET 1 Description 2 Features These N-Channel enhancement mode power 600V / 12A field effect transistors are produced using planar RDS(on) = 0.52 (typ) VGS = 10 V ,ID =7.2A stripe, DMOS technology. Fast switching This advanced technology has been especially 100% avalanche tested tai

 6.3. Size:458K  alpha pacific
 apq12sn60a.pdf pdf_icon

APQ12SN65AH

DEVICE SPECIFICATION apQ12SN60A(F) 600V/12A N-Channel MOSFET 1 Description 2 Features These N-Channel enhancement mode power 600V / 12A RDS(on) = 0.52 (typ) @ field effect transistors are produced using planar VGS = 10 V ,ID =7.2A stripe, DMOS technology. Fast switching This advanced technology has been especially 100% avalanche tested tailored to mini

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... APQ110SN5EA , APQ110SN5EAD , APQ110SN5EAH , APQ11BSN40A , APQ12SN60A , APQ12SN60AF , APQ12SN60AH , APQ12SN65AF , 50N06 , APQ13SN50A , APQ13SN50AF , APQ13SN50AH , APQ14SN65AF , APQ14SN65AH , APQ16SN06AA , APQ16SN06AB , APQ1HSN60AA .

 

 

 


 
↑ Back to Top
.