APQ50SN06AH MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: APQ50SN06AH
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 120 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 50 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 25.7 nC
Время нарастания (tr): 35.2 ns
Выходная емкость (Cd): 320.7 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.022 Ohm
Тип корпуса: TO-220
Аналог (замена) для APQ50SN06AH
APQ50SN06AH Datasheet (PDF)
apq50sn06ah.pdf
DEVICE SPECIFICATION APQ50SN06AH 60V/50A N-Channel MOSFET1 Description 2 Features These N-Channel enhancement mode power field 60V / 50A, effect transistors are produced using planar stripe, RDS(on) =19m(typ)VGS =10V, ID =30A DMOS technology. Fast switching This advanced technology has been especially 100% avalanche tested tailored to minimize on-st
apq50sn06a.pdf
DEVICE SPECIFICATION apQ50SN06A60V/50A N-Channel MOSFET1 Description 2 Features These N-Channel enhancement mode power field 60V / 50A, RDS(on) =19m(typ) @ effect transistors are produced using planar stripe, VGS =10V, ID =30A DMOS technology. Fast switching This advanced technology has been especially 100% avalanche tested tailored to minimize on-state
apq50sn06ad.pdf
DEVICE SPECIFICATION APQ50SN06AD 60V/50A N-Channel MOSFET1 Description 2 Features These N-Channel enhancement mode power field 60V / 50A effect transistors are produced using planar stripe, RDS(on) =19m(typ)VGS =10V, ID =30A DMOS technology. Fast switching This advanced technology has been especially 100% avalanche tested tailored to minimize on-stat
Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRF1010E , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .
