RU190N10Q - аналоги и даташиты транзистора

 

RU190N10Q - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: RU190N10Q
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 312 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 190 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 42 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1000 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.008 Ohm
   Тип корпуса: TO-247
 

 Аналог (замена) для RU190N10Q

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RU190N10Q Datasheet (PDF)

 ..1. Size:281K  ruichips
 ru190n10q.pdf pdf_icon

RU190N10Q

RU190N10QN-Channel Advanced Power MOSFETFeatures Pin Description 100V/190ARDS (ON)=6.5m (Typ.) @ VGS=10VAvalanche Rated Reliable and Rugged Lead Free and Green Devices AvailableApplicationsTO-247Automotive applications and a widevariety of other applicationsHigh Efficiency Synchronous in SMPSHigh Speed Power SwitchingAbsolute Maximum Ratings N-Channe

 6.1. Size:293K  ruichips
 ru190n10r.pdf pdf_icon

RU190N10Q

RU190N10RN-Channel Advanced Power MOSFETFeatures Pin Description 100V/190ARDS (ON)=6.5m (Typ.) @ VGS=10VAvalanche Rated Reliable and Rugged Lead Free and Green Devices AvailableTO-220ApplicationsAutomotive applications and a widevariety of other applicationsHigh Efficiency Synchronous in SMPSHigh Speed Power SwitchingAbsolute Maximum Ratings N-Channe

 6.2. Size:284K  ruichips
 ru190n10s.pdf pdf_icon

RU190N10Q

RU190N10SN-Channel Advanced Power MOSFETFeatures Pin Description 100V/190ARDS (ON)=6.5m (Typ.) @ VGS=10VAvalanche Rated Reliable and Rugged Lead Free and Green Devices AvailableApplicationsTO-263Automotive applications and a widevariety of other applicationsHigh Efficiency Synchronous in SMPSHigh Speed Power SwitchingAbsolute Maximum Ratings N-Channe

 8.1. Size:399K  ruichips
 ru190n08.pdf pdf_icon

RU190N10Q

RU190N08N-Channel Advanced Power MOSFETFeatures Pin Description 80V/190ARDS (ON)=3.9m (Typ.) @ VGS=10VAvalanche RatedTO-220 TO-220F Reliable and Rugged Lead Free and Green Devices AvailableTO-263 TO-247ApplicationsAutomotive applications and a widevariety of other applicationsHigh Efficiency Synchronous in SMPSHigh Speed Power SwitchingAbsolute Max

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... HY8N50T , HY8N65T , HY8N70T , RU1088R , RU120N15Q , RU120N15R , RU140N10R , RU16P8M4 , IRF3710 , RU190N10R , RU190N10S , RU1C001UN , RU1C001ZP , RU1H100R , RU1H130Q , RU1H130R , RU1H130S .

History: US6K4

 

 
Back to Top

 


 
.