RU1C001UN. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: RU1C001UN

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.15 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.1 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 4 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 3.3 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3.5 Ohm

Тип корпуса: UMT3F

Аналог (замена) для RU1C001UN

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RU1C001UN даташит

 ..1. Size:2193K  rohm
 ru1c001un.pdf pdf_icon

RU1C001UN

RU1C001UN Datasheet Nch 20V 100mA Small Signal MOSFET lOutline l SOT-323FL VDSS 20V SC-85 RDS(on)(Max.) 3.5 UMT3F ID 100mA PD 150mW lInner circuit l lFeatures l 1) Low voltage drive(1.2V) makes this device ideal for partable equipment. 2) Drive circuits can be simple. 3) Built-in G-S Protection Diode. lPackagi

 ..2. Size:586K  ruichips
 ru1c001un.pdf pdf_icon

RU1C001UN

RU1C001UN Nch 20V 100mA Small Signal MOSFET Data Sheet lOutline VDSS 20V UMT3F (3) RDS(on) (Max.) 3.5W ID 100mA (1) PD 150mW (2) lFeatures lInner circuit 1) Low voltage drive(1.2V) makes this (1) Gate device ideal for partable equipment. (2) Source 2) Drive circuits can be simple. (3) Drain 3) Built-in G-S Protection Diode. *1 BODY DIODE *2 ESD PROTECTION DIODE

 7.1. Size:1322K  rohm
 ru1c001zp.pdf pdf_icon

RU1C001UN

RU1C001ZP Datasheet Pch -20V -100mA Small Signal MOSFET lOutline l SOT-323FL VDSS -20V SC-85 RDS(on)(Max.) 3.8 UMT3F ID 100mA PD 200mW lInner circuit l lFeatures l 1) Low voltage drive(1.2V) makes this device ideal for partable equipment. 2) Drive circuits can be simple. 3) Built-in G-S Protection Diode. lPack

 7.2. Size:404K  ruichips
 ru1c001zp.pdf pdf_icon

RU1C001UN

RU1C001ZP Pch -20V -100mA Small Signal MOSFET Datasheet lOutline VDSS -20V UMT3F (3) RDS(on) (Max.) 3.8W ID -100mA (1) PD 150mW (2) lFeatures lInner circuit 1) Low voltage drive(1.2V) makes this (1) Gate device ideal for partable equipment. (2) Source 2) Drive circuits can be simple. (3) Drain 3) Built-in G-S Protection Diode. *1 BODY DIODE *2 ESD PROTECTION DIOD

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... RU1088R, RU120N15Q, RU120N15R, RU140N10R, RU16P8M4, RU190N10Q, RU190N10R, RU190N10S, AON6414A, RU1C001ZP, RU1H100R, RU1H130Q, RU1H130R, RU1H130S, RU1H190R, RU1H190S, RU1H300Q