Справочник MOSFET. RU1H35S

 

RU1H35S Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: RU1H35S
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 111 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 40 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 76 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 250 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.025 Ohm
   Тип корпуса: TO-263
 

 Аналог (замена) для RU1H35S

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RU1H35S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:290K  ruichips
 ru1h35s.pdf pdf_icon

RU1H35S

RU1H35SN-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description 100V/40A,RDS (ON) =21m(Typ.)@VGS=10V Super High Dense Cell Design 100% avalanche tested Lead Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)TO-263ApplicationsSwitching applicationN-Channel MOSFETAbsolute Maximum RatingsSymbolParameter Rating UnitCommon Ratings (TA=25C Unles

 8.1. Size:287K  ruichips
 ru1h35q.pdf pdf_icon

RU1H35S

RU1H35QN-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description 100V/40A,RDS (ON) =21m(Typ.)@VGS=10V Super High Dense Cell Design 100% avalanche tested Lead Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)TO-247ApplicationsSwitching applicationN-Channel MOSFETAbsolute Maximum RatingsSymbolParameter Rating UnitCommon Ratings (TA=25C Unles

 8.2. Size:298K  ruichips
 ru1h35r.pdf pdf_icon

RU1H35S

RU1H35RN-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description 100V/40A,RDS (ON) =21m(Typ.)@VGS=10V Super High Dense Cell Design 100% avalanche tested Lead Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)TO-220ApplicationsSwitching applicationN-Channel MOSFETAbsolute Maximum RatingsSymbolParameter Rating UnitCommon Ratings (TA=25C Unles

 8.3. Size:282K  ruichips
 ru1h35k.pdf pdf_icon

RU1H35S

RU1H35KN-Channel Advanced Power MOSFETFeatures Pin Description 100V/40A, RDS (ON) =21m(Typ.)@VGS=10V Super High Dense Cell Design 100% avalanche tested Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant)GDSTO251DApplications High Speed Power SwitchingGSN-Channel MOSFETAbsolute Maximum RatingsSymbol Parameter Rating UnitCommon Ratings (

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... RU1H130S , RU1H190R , RU1H190S , RU1H300Q , RU1H35K , RU1H35L , RU1H35Q , RU1H35R , IRF1010E , RU1H36L , RU1H36R , RU1H36S , RU1H40L , RU1H60R , RU1H7H , RU1H80R , RU1HC2H .

History: NCEP8818AS | 2SK2677

 

 
Back to Top

 


 
.