Справочник MOSFET. RU1H36R

 

RU1H36R Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: RU1H36R
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 79 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 32 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 95 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 230 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.04 Ohm
   Тип корпуса: TO-220
 

 Аналог (замена) для RU1H36R

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RU1H36R Datasheet (PDF)

 ..1. Size:291K  ruichips
 ru1h36r.pdf pdf_icon

RU1H36R

RU1H36RN-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description 100V/32A,RDS (ON) =34m(Typ.)@VGS=10V Super High Dense Cell Design Ultra Low On-Resistance 100% avalanche testedTO-220 Lead Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)Applications DC-DC Converters Synchronous RectifierN-Channel MOSFETAbsolute Maximum RatingsSymbolP

 8.1. Size:279K  ruichips
 ru1h36l.pdf pdf_icon

RU1H36R

RU1H36LN-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description 100V/32A,RDS (ON) =34m(Typ.)@VGS=10V Super High Dense Cell Design Ultra Low On-Resistance 100% avalanche testedTO-252 Lead Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)Applications DC-DC Converters Synchronous RectifierN-Channel MOSFETAbsolute Maximum RatingsSymbolP

 8.2. Size:282K  ruichips
 ru1h36s.pdf pdf_icon

RU1H36R

RU1H36SN-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description 100V/32A,RDS (ON) =34m(Typ.)@VGS=10V Super High Dense Cell Design Ultra Low On-Resistance 100% avalanche tested Lead Free and Green Devices AvailableTO-263(RoHS Compliant)Applications DC-DC Converters Synchronous RectifierN-Channel MOSFETAbsolute Maximum RatingsSymbolP

 9.1. Size:287K  ruichips
 ru1h35q.pdf pdf_icon

RU1H36R

RU1H35QN-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description 100V/40A,RDS (ON) =21m(Typ.)@VGS=10V Super High Dense Cell Design 100% avalanche tested Lead Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)TO-247ApplicationsSwitching applicationN-Channel MOSFETAbsolute Maximum RatingsSymbolParameter Rating UnitCommon Ratings (TA=25C Unles

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... RU1H190S , RU1H300Q , RU1H35K , RU1H35L , RU1H35Q , RU1H35R , RU1H35S , RU1H36L , 5N60 , RU1H36S , RU1H40L , RU1H60R , RU1H7H , RU1H80R , RU1HC2H , RU1HE12L , RU1HE16L .

History: P7006BL | FHD4N65E | NTMFS5C456NL

 

 
Back to Top

 


 
.