RU1H36S - описание и поиск аналогов

 

Аналоги RU1H36S. Основные параметры


   Наименование производителя: RU1H36S
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 79 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 32 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 95 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 230 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.04 Ohm
   Тип корпуса: TO-263
 

 Аналог (замена) для RU1H36S

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RU1H36S даташит

 ..1. Size:282K  ruichips
 ru1h36s.pdf pdf_icon

RU1H36S

RU1H36S N-Channel Advanced Power MOSFET MOSFET Features Pin Description 100V/32A, RDS (ON) =34m (Typ.)@VGS=10V Super High Dense Cell Design Ultra Low On-Resistance 100% avalanche tested Lead Free and Green Devices Available TO-263 (RoHS Compliant) Applications DC-DC Converters Synchronous Rectifier N-Channel MOSFET Absolute Maximum Ratings Symbol P

 8.1. Size:279K  ruichips
 ru1h36l.pdf pdf_icon

RU1H36S

RU1H36L N-Channel Advanced Power MOSFET MOSFET Features Pin Description 100V/32A, RDS (ON) =34m (Typ.)@VGS=10V Super High Dense Cell Design Ultra Low On-Resistance 100% avalanche tested TO-252 Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) Applications DC-DC Converters Synchronous Rectifier N-Channel MOSFET Absolute Maximum Ratings Symbol P

 8.2. Size:291K  ruichips
 ru1h36r.pdf pdf_icon

RU1H36S

RU1H36R N-Channel Advanced Power MOSFET MOSFET Features Pin Description 100V/32A, RDS (ON) =34m (Typ.)@VGS=10V Super High Dense Cell Design Ultra Low On-Resistance 100% avalanche tested TO-220 Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) Applications DC-DC Converters Synchronous Rectifier N-Channel MOSFET Absolute Maximum Ratings Symbol P

 9.1. Size:287K  ruichips
 ru1h35q.pdf pdf_icon

RU1H36S

RU1H35Q N-Channel Advanced Power MOSFET MOSFET Features Pin Description 100V/40A, RDS (ON) =21m (Typ.)@VGS=10V Super High Dense Cell Design 100% avalanche tested Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) TO-247 Applications Switching application N-Channel MOSFET Absolute Maximum Ratings Symbol Parameter Rating Unit Common Ratings (TA=25 C Unles

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... RU1H300Q , RU1H35K , RU1H35L , RU1H35Q , RU1H35R , RU1H35S , RU1H36L , RU1H36R , AO3401 , RU1H40L , RU1H60R , RU1H7H , RU1H80R , RU1HC2H , RU1HE12L , RU1HE16L , RU1HE3D .

 

 

 


 
↑ Back to Top
.