Справочник MOSFET. RU1HL8L

 

RU1HL8L MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: RU1HL8L
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 40 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 100 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 16 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2.5 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 10 A
   Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 26 nC
   Время нарастания (tr): 19 ns
   Выходная емкость (Cd): 230 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.15 Ohm
   Тип корпуса: TO-252

 Аналог (замена) для RU1HL8L

 

 

RU1HL8L Datasheet (PDF)

 ..1. Size:304K  ruichips
ru1hl8l.pdf

RU1HL8L
RU1HL8L

RU1HL8LP-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description -100V/-10A,RDS (ON) =120m(Typ.)@VGS=-10VRDS (ON) =180m(Typ.)@VGS=-4.5V Super High Dense Cell Design ESD protected Reliable and RuggedTO252 100% avalanche tested Lead Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)Applications Power Management DC/DC ConvertersP-Chan

 9.1. Size:293K  ruichips
ru1hl13l.pdf

RU1HL8L
RU1HL8L

RU1HL13LP-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description -100V/-13A,RDS (ON) =160m(tpy.)@VGS=-10VRDS (ON) =180m(tpy.)@VGS=-4.5V Super High Dense Cell Design ESD protected Reliable and RuggedTO252 100% avalanche tested Lead Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)Applications Power Management DC/DC ConvertersP-Cha

 9.2. Size:296K  ruichips
ru1hl13k.pdf

RU1HL8L
RU1HL8L

RU1HL13KP-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description -100V/-13A,RDS (ON) =160m(Typ.)@VGS=-10VRDS (ON) =180m(Typ.)@VGS=-4.5V Super High Dense Cell Design ESD protected Reliable and RuggedTO251 100% avalanche tested Lead Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)Applications Power Management DC/DC ConvertersP-Cha

 9.3. Size:301K  ruichips
ru1hl13r.pdf

RU1HL8L
RU1HL8L

RU1HL13RP-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description -100V/-13A,RDS (ON) =160m(tpy.)@VGS=-10VRDS (ON) =180m(tpy.)@VGS=-4.5V Super High Dense Cell Design ESD protected Reliable and RuggedTO-220 100% avalanche tested Lead Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)Applications Power Management DC/DC ConvertersP-Ch

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top