RU80N15Q datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: RU80N15Q

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 180 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 150 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 32 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 550 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.036 Ohm

Тип корпуса: TO-247

Аналог (замена) для RU80N15Q

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RU80N15Q даташит

 ..1. Size:318K  ruichips
 ru80n15q.pdf pdf_icon

RU80N15Q

RU80N15Q N-Channel Advanced Power MOSFET Features Pin Description 150V/80A RDS (ON)=31m (Typ.) @ VGS=10V Avalanche Rated Reliable and Rugged Lead Free and Green Devices Available Applications TO-247 Automotive applications and a wide variety of other applications High Efficiency Synchronous in SMPS High Speed Power Switching N-Channel MOSFET Abs

 7.1. Size:292K  ruichips
 ru80n15r.pdf pdf_icon

RU80N15Q

RU80N15R N-Channel Advanced Power MOSFET Features Pin Description 150V/80A RDS (ON)=31m (Typ.) @ VGS=10V Avalanche Rated Reliable and Rugged Lead Free and Green Devices Available TO-220 Applications Automotive applications and a wide variety of other applications High Efficiency Synchronous in SMPS High Speed Power Switching N-Channel MOSFET Absolute Maximum R

 7.2. Size:317K  ruichips
 ru80n15s.pdf pdf_icon

RU80N15Q

RU80N15S N-Channel Advanced Power MOSFET Features Pin Description 150V/80A, RDS (ON) =31m (Typ.)@VGS=10V D Avalanche Rated Reliable and Rugged Lead Free and Green Devices Available G S TO263 D Applications Automotive applications and a wide variety of other applications High Efficiency Synchronous in SMPS G High Speed Power Switching S N-Channel

 9.1. Size:266K  semihow
 hrd80n06k hru80n06k.pdf pdf_icon

RU80N15Q

Sep 2014 BVDSS = 60 V RDS(on) typ HRD80N06K / HRU80N06K ID = 114 A 60V N-Channel Trench MOSFET D-PAK I-PAK FEATURES 2 1 Originative New Design 1 3 2 3 Superior Avalanche Rugged Technology HRD80N06K HRU80N06K Excellent Switching Characteristics 1.Gate 2. Drain 3. Source Unrivalled Gate Charge 90 nC (Typ.) Extended Safe Operating Area Lower RDS(ON) 6.

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... RU7590R, RU7H2K, RU80100R, RU80100S, RU80190R, RU8080R, RU8080S, RU8099R, 10N65, RU80N15R, RU80N15S, RU80T4H, RU8205C6, RU8205G, RU8590R, RUE002N02TL, RUE003N02TL