Справочник MOSFET. RUM002N05T2L

 

RUM002N05T2L MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: RUM002N05T2L
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.15 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 50 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.2 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 6 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 6 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.2 Ohm
   Тип корпуса: VMT3

 Аналог (замена) для RUM002N05T2L

 

 

RUM002N05T2L Datasheet (PDF)

 ..1. Size:170K  ruichips
 rum002n05t2l.pdf

RUM002N05T2L RUM002N05T2L

1.2V Drive Nch MOSFET RUM002N05 Structure Dimensions (Unit : mm)Silicon N-channel MOSFETVMT3Features1) High speed switing.2) Small package(VMT3).3)Ultra low voltage drive(1.2V drive).Abbreviated symbol : RH ApplicationSwitching Packaging specifications Inner circuitPackage Taping(3)TypeCode T2LBasic ordering unit (pieces) 80001RUM002

 5.1. Size:172K  rohm
 rum002n05.pdf

RUM002N05T2L RUM002N05T2L

1.2V Drive Nch MOSFET RUM002N05 Structure Dimensions (Unit : mm)Silicon N-channel MOSFETVMT3Features1) High speed switing.2) Small package(VMT3).3)Ultra low voltage drive(1.2V drive).Abbreviated symbol : RH ApplicationSwitching Packaging specifications Inner circuitPackage Taping(3)TypeCode T2LBasic ordering unit (pieces) 80001RUM002

 6.1. Size:214K  rohm
 rum002n02.pdf

RUM002N05T2L RUM002N05T2L

1.2V Drive Nch MOSFET RUM002N02 Structure Dimensions (Unit : mm) Silicon N-channel VMT3MOSFET Applications Switching (1)Gate Features (2)Souce(3)DrainAbbreviated symbol : QR1) Fast switching speed. 2) Low voltage drive (1.2V) makes this device ideal for portable equipment. 3) Drive circuits can be simple. Inner circuit (3) Packaging specifications Pac

 6.2. Size:213K  ruichips
 rum002n02t2l.pdf

RUM002N05T2L RUM002N05T2L

1.2V Drive Nch MOSFET RUM002N02 Structure Dimensions (Unit : mm) Silicon N-channel VMT3MOSFET Applications Switching (1)Gate Features (2)Souce(3)DrainAbbreviated symbol : QR1) Fast switching speed. 2) Low voltage drive (1.2V) makes this device ideal for portable equipment. 3) Drive circuits can be simple. Inner circuit (3) Packaging specifications Pac

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top