RUM002N05T2L datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: RUM002N05T2L

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.15 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 50 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 6 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 6 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.2 Ohm

Тип корпуса: VMT3

Аналог (замена) для RUM002N05T2L

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RUM002N05T2L даташит

 ..1. Size:170K  ruichips
 rum002n05t2l.pdf pdf_icon

RUM002N05T2L

1.2V Drive Nch MOSFET RUM002N05 Structure Dimensions (Unit mm) Silicon N-channel MOSFET VMT3 Features 1) High speed switing. 2) Small package(VMT3). 3)Ultra low voltage drive(1.2V drive). Abbreviated symbol RH Application Switching Packaging specifications Inner circuit Package Taping (3) Type Code T2L Basic ordering unit (pieces) 8000 1 RUM002

 5.1. Size:172K  rohm
 rum002n05.pdf pdf_icon

RUM002N05T2L

1.2V Drive Nch MOSFET RUM002N05 Structure Dimensions (Unit mm) Silicon N-channel MOSFET VMT3 Features 1) High speed switing. 2) Small package(VMT3). 3)Ultra low voltage drive(1.2V drive). Abbreviated symbol RH Application Switching Packaging specifications Inner circuit Package Taping (3) Type Code T2L Basic ordering unit (pieces) 8000 1 RUM002

 6.1. Size:214K  rohm
 rum002n02.pdf pdf_icon

RUM002N05T2L

1.2V Drive Nch MOSFET RUM002N02 Structure Dimensions (Unit mm) Silicon N-channel VMT3 MOSFET Applications Switching (1)Gate Features (2)Souce (3)Drain Abbreviated symbol QR 1) Fast switching speed. 2) Low voltage drive (1.2V) makes this device ideal for portable equipment. 3) Drive circuits can be simple. Inner circuit (3) Packaging specifications Pac

 6.2. Size:213K  ruichips
 rum002n02t2l.pdf pdf_icon

RUM002N05T2L

1.2V Drive Nch MOSFET RUM002N02 Structure Dimensions (Unit mm) Silicon N-channel VMT3 MOSFET Applications Switching (1)Gate Features (2)Souce (3)Drain Abbreviated symbol QR 1) Fast switching speed. 2) Low voltage drive (1.2V) makes this device ideal for portable equipment. 3) Drive circuits can be simple. Inner circuit (3) Packaging specifications Pac

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... RU8590R, RUE002N02TL, RUE003N02TL, RUF015N02TL, RUF025N02TL, RUL035N02TR, RUM001L02, RUM002N02T2L, 75N75, RUM003N02T2L, RUQ050N02FRA, RUQ050N02TR, RUR020N02TL, RUR040N02FRA, RUR040N02TL, RUS100N02, PHB101NQ04T