Справочник MOSFET. PHB101NQ04T

 

PHB101NQ04T MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: PHB101NQ04T
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 157 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4.4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 75 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 51 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 485 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0152 Ohm
   Тип корпуса: D2PAK

 Аналог (замена) для PHB101NQ04T

 

 

PHB101NQ04T Datasheet (PDF)

 ..1. Size:178K  philips
 phb101nq04t.pdf

PHB101NQ04T PHB101NQ04T

PHB101NQ04TN-channel TrenchMOS standard level FETRev. 02 10 March 2009 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionStandard level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in computing, communications, consumer and industrial applications only.1.2 Fea

 ..2. Size:94K  philips
 php101nq04t phb101nq04t.pdf

PHB101NQ04T PHB101NQ04T

PHP/PHB101NQ04TN-channel TrenchMOS standard level FETRev. 01 12 May 2004 Product data1. Product profile1.1 DescriptionN-channel enhancement mode field-effect power transistor in a plastic package usingTrenchMOS technology.1.2 Features Standard level threshold Very low on-state resistance.1.3 Applications Motors, lamps, solenoids Uninterruptible power supplies DC-

 9.1. Size:331K  philips
 phb100n03lt-01.pdf

PHB101NQ04T PHB101NQ04T

PHB100N03LTN-channel enhancement mode field-effect transistorRev. 01 07 September 2000 Product specificationM3D1661. DescriptionN-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic package usingTrenchMOS1 technology.Product availability:PHB100N03LT in SOT404 (D2-PAK).2. Features TrenchMOS technology Low on-state resistance Avalanche ruggedness rated

 9.2. Size:94K  philips
 phb108nq03lt phd108nq03lt phu108nq03lt.pdf

PHB101NQ04T PHB101NQ04T

PHB/PHD/PHU108NQ03LTN-channel TrenchMOS logic level FETRev. 03 18 April 2005 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionLogic level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plasticpackage using TrenchMOS technology.1.2 Features Logic level threshold Very low on-state resistance Lead-free construction Low gate charge1.3 Applicati

 9.3. Size:253K  philips
 phb108nq03lt phd108nq03lt php108nq03lt.pdf

PHB101NQ04T PHB101NQ04T

PHP/PHB/PHD108NQ03LTTrenchMOS logic level FETRev. 02 11 September 2002 Product data1. Product profile1.1 DescriptionN-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic package usingTrenchMOS technology.Product availability:PHP108NQ03LT in SOT78 (TO-220AB)PHB108NQ03LT in SOT404 (D2-PAK)PHD108NQ03LT in SOT428 (D-PAK).1.2 Features Logic level compatibl

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top