Справочник MOSFET. PHB110NQ08LT

 

PHB110NQ08LT Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PHB110NQ08LT
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 230 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 75 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 75 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 185 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 905 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0085 Ohm
   Тип корпуса: D2PAK
 

 Аналог (замена) для PHB110NQ08LT

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PHB110NQ08LT Datasheet (PDF)

 ..1. Size:89K  philips
 phb110nq08lt php110nq08lt.pdf pdf_icon

PHB110NQ08LT

PHP/PHB110NQ08LTN-channel TrenchMOS logic level FETRev. 01 29 March 2004 Product data1. Product profile1.1 DescriptionLogic level N-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic packageusing TrenchMOS technology.1.2 Features Logic level threshold Very low on-state resistance.1.3 Applications Motors, lamps, solenoids Uninterruptible power supplies

 4.1. Size:89K  philips
 php110nq08t phb110nq08t.pdf pdf_icon

PHB110NQ08LT

PHP/PHB110NQ08TN-channel TrenchMOS standard level FETRev. 01 29 March 2004 Product data1. Product profile1.1 DescriptionN-channel enhancement mode field-effect power transistor in a plastic package usingTrenchMOS technology.1.2 Features Standard level threshold Very low on-state resistance.1.3 Applications Motors, lamps, solenoids Uninterruptible power supplies D

 4.2. Size:674K  nxp
 phb110nq08t.pdf pdf_icon

PHB110NQ08LT

PHB110NQ08TN-channel TrenchMOS standard level FETRev. 02 12 October 2009 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionStandard level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in computing, communications, consumer and industrial applications only.1.2 F

 5.1. Size:209K  philips
 phb110nq06lt.pdf pdf_icon

PHB110NQ08LT

PHB110NQ06LTN-channel TrenchMOS logic level FETRev. 02 4 March 2010 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionLogic level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in computing, communications, consumer and industrial applications only.1.2 Features

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... RUQ050N02TR , RUR020N02TL , RUR040N02FRA , RUR040N02TL , RUS100N02 , PHB101NQ04T , PHB108NQ03LT , PHB110NQ06LT , 8N60 , PHB112N06T , PHB119NQ06T , PHB11N06LT , PHB129NQ04LT , PHB143NQ04T , PHB145NQ06T , PHB146NQ06LT , PHB152NQ03LTA .

History: PN4302

 

 
Back to Top

 


 
.