PHB110NQ08LT - Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: PHB110NQ08LT
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 230 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 75 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 75 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 185 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 905 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0085 Ohm
Тип корпуса: D2PAK
Аналог (замена) для PHB110NQ08LT
PHB110NQ08LT технические параметры
phb110nq08lt php110nq08lt.pdf
PHP/PHB110NQ08LT N-channel TrenchMOS logic level FET Rev. 01 29 March 2004 Product data 1. Product profile 1.1 Description Logic level N-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic package using TrenchMOS technology. 1.2 Features Logic level threshold Very low on-state resistance. 1.3 Applications Motors, lamps, solenoids Uninterruptible power supplies
php110nq08t phb110nq08t.pdf
PHP/PHB110NQ08T N-channel TrenchMOS standard level FET Rev. 01 29 March 2004 Product data 1. Product profile 1.1 Description N-channel enhancement mode field-effect power transistor in a plastic package using TrenchMOS technology. 1.2 Features Standard level threshold Very low on-state resistance. 1.3 Applications Motors, lamps, solenoids Uninterruptible power supplies D
phb110nq08t.pdf
PHB110NQ08T N-channel TrenchMOS standard level FET Rev. 02 12 October 2009 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description Standard level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in computing, communications, consumer and industrial applications only. 1.2 F
phb110nq06lt.pdf
PHB110NQ06LT N-channel TrenchMOS logic level FET Rev. 02 4 March 2010 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description Logic level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in computing, communications, consumer and industrial applications only. 1.2 Features
Другие MOSFET... RUQ050N02TR , RUR020N02TL , RUR040N02FRA , RUR040N02TL , RUS100N02 , PHB101NQ04T , PHB108NQ03LT , PHB110NQ06LT , IRFB7545 , PHB112N06T , PHB119NQ06T , PHB11N06LT , PHB129NQ04LT , PHB143NQ04T , PHB145NQ06T , PHB146NQ06LT , PHB152NQ03LTA .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP6007S | AP5N50K | AP5N20K | AP5N10S | AP5N10M | AP50P20Q | AP50P20K | AP50P06K | AP50N06K | AP50N04QD | AP50N04Q | AP50N04K | AP50N04GD | AP5040QD | AP4946S | AP4847
Popular searches
irfpe50 | tip50 | transistor bc547 datasheet | bc109c | d331 transistor | irfbc40 | mp16b transistor | 2sa934






