PHB11N06LT datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: PHB11N06LT

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 33 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 55 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 15 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10.3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 64 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 55 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.13 Ohm

Тип корпуса: D2PAK

Аналог (замена) для PHB11N06LT

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PHB11N06LT даташит

 ..1. Size:113K  philips
 phb11n06lt.pdf pdf_icon

PHB11N06LT

Philips Semiconductors Product specification N-channel TrenchMOS transistor PHP11N06LT, PHB11N06LT Logic level FET PHD11N06LT FEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATA Trench technology d VDSS = 55 V Low on-state resistance Fast switching ID = 10.5 A Logic level compatible RDS(ON) 150 m (VGS = 5 V) g RDS(ON) 130 m (VGS = 10 V) s GENERAL DESCRIPT

 ..2. Size:114K  philips
 phb11n06lt phd11n06lt php11n06lt 3.pdf pdf_icon

PHB11N06LT

Philips Semiconductors Product specification N-channel TrenchMOS transistor PHP11N06LT, PHB11N06LT Logic level FET PHD11N06LT FEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATA Trench technology d VDSS = 55 V Low on-state resistance Fast switching ID = 10.5 A Logic level compatible RDS(ON) 150 m (VGS = 5 V) g RDS(ON) 130 m (VGS = 10 V) s GENERAL DESCRIPT

 7.1. Size:107K  philips
 phb11n03lt phd11n03lt 1.pdf pdf_icon

PHB11N06LT

Philips Semiconductors Product specification N-channel TrenchMOS transistor PHB11N03LT, PHD11N03LT Logic level FET FEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATA Trench technology d VDSS = 30 V Low on-state resistance Fast switching ID = 10.5 A Logic level compatible RDS(ON) 150 m (VGS = 5 V) g RDS(ON) 130 m (VGS = 10 V) s GENERAL DESCRIPTION N-chann

 8.1. Size:35K  philips
 php11n50e phb11n50e phw11n50e.pdf pdf_icon

PHB11N06LT

Philips Semiconductors Preliminary specification PowerMOS transistors PHP11N50E, PHB11N50E, PHW11N50E Avalanche energy rated FEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATA d Repetitive Avalanche Rated Fast switching VDSS = 500 V Stable off-state characteristics High thermal cycling performance ID = 10.4 A g Low thermal resistance RDS(ON) 0.6 s GENERAL DESCRIPTI

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... RUR040N02TL, RUS100N02, PHB101NQ04T, PHB108NQ03LT, PHB110NQ06LT, PHB110NQ08LT, PHB112N06T, PHB119NQ06T, EMB04N03H, PHB129NQ04LT, PHB143NQ04T, PHB145NQ06T, PHB146NQ06LT, PHB152NQ03LTA, PHB153NQ08LT, PHB160NQ08T, PHB174NQ04LT