Справочник MOSFET. PHB11N06LT

 

PHB11N06LT Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PHB11N06LT
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 33 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 55 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 15 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10.3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 64 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 55 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.13 Ohm
   Тип корпуса: D2PAK
 

 Аналог (замена) для PHB11N06LT

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PHB11N06LT Datasheet (PDF)

 ..1. Size:113K  philips
 phb11n06lt.pdf pdf_icon

PHB11N06LT

Philips Semiconductors Product specification N-channel TrenchMOS transistor PHP11N06LT, PHB11N06LT Logic level FET PHD11N06LT FEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATA Trench technology d VDSS = 55 V Low on-state resistance Fast switching ID = 10.5 A Logic level compatibleRDS(ON) 150 m (VGS = 5 V)gRDS(ON) 130 m (VGS = 10 V)sGENERAL DESCRIPT

 ..2. Size:114K  philips
 phb11n06lt phd11n06lt php11n06lt 3.pdf pdf_icon

PHB11N06LT

Philips Semiconductors Product specification N-channel TrenchMOS transistor PHP11N06LT, PHB11N06LT Logic level FET PHD11N06LT FEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATA Trench technology d VDSS = 55 V Low on-state resistance Fast switching ID = 10.5 A Logic level compatibleRDS(ON) 150 m (VGS = 5 V)gRDS(ON) 130 m (VGS = 10 V)sGENERAL DESCRIPT

 7.1. Size:107K  philips
 phb11n03lt phd11n03lt 1.pdf pdf_icon

PHB11N06LT

Philips Semiconductors Product specification N-channel TrenchMOS transistor PHB11N03LT, PHD11N03LT Logic level FETFEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATA Trench technology d VDSS = 30 V Low on-state resistance Fast switching ID = 10.5 A Logic level compatibleRDS(ON) 150 m (VGS = 5 V)gRDS(ON) 130 m (VGS = 10 V)sGENERAL DESCRIPTIONN-chann

 8.1. Size:35K  philips
 php11n50e phb11n50e phw11n50e.pdf pdf_icon

PHB11N06LT

Philips Semiconductors Preliminary specification PowerMOS transistors PHP11N50E, PHB11N50E, PHW11N50E Avalanche energy ratedFEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATAd Repetitive Avalanche Rated Fast switching VDSS = 500 V Stable off-state characteristics High thermal cycling performance ID = 10.4 Ag Low thermal resistanceRDS(ON) 0.6 sGENERAL DESCRIPTI

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... RUR040N02TL , RUS100N02 , PHB101NQ04T , PHB108NQ03LT , PHB110NQ06LT , PHB110NQ08LT , PHB112N06T , PHB119NQ06T , 2SK3918 , PHB129NQ04LT , PHB143NQ04T , PHB145NQ06T , PHB146NQ06LT , PHB152NQ03LTA , PHB153NQ08LT , PHB160NQ08T , PHB174NQ04LT .

History: NCEP01T13LL | AO4706 | HM1607D | AP4506GEH | APT28F60S | AM40P10-200P

 

 
Back to Top

 


 
.