Справочник MOSFET. PHB11N06LT

 

PHB11N06LT MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: PHB11N06LT
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 33 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 55 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 15 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10.3 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 64 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 55 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.13 Ohm
   Тип корпуса: D2PAK

 Аналог (замена) для PHB11N06LT

 

 

PHB11N06LT Datasheet (PDF)

 ..1. Size:113K  philips
 phb11n06lt.pdf

PHB11N06LT PHB11N06LT

Philips Semiconductors Product specification N-channel TrenchMOS transistor PHP11N06LT, PHB11N06LT Logic level FET PHD11N06LT FEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATA Trench technology d VDSS = 55 V Low on-state resistance Fast switching ID = 10.5 A Logic level compatibleRDS(ON) 150 m (VGS = 5 V)gRDS(ON) 130 m (VGS = 10 V)sGENERAL DESCRIPT

 ..2. Size:114K  philips
 phb11n06lt phd11n06lt php11n06lt 3.pdf

PHB11N06LT PHB11N06LT

Philips Semiconductors Product specification N-channel TrenchMOS transistor PHP11N06LT, PHB11N06LT Logic level FET PHD11N06LT FEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATA Trench technology d VDSS = 55 V Low on-state resistance Fast switching ID = 10.5 A Logic level compatibleRDS(ON) 150 m (VGS = 5 V)gRDS(ON) 130 m (VGS = 10 V)sGENERAL DESCRIPT

 7.1. Size:107K  philips
 phb11n03lt phd11n03lt 1.pdf

PHB11N06LT PHB11N06LT

Philips Semiconductors Product specification N-channel TrenchMOS transistor PHB11N03LT, PHD11N03LT Logic level FETFEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATA Trench technology d VDSS = 30 V Low on-state resistance Fast switching ID = 10.5 A Logic level compatibleRDS(ON) 150 m (VGS = 5 V)gRDS(ON) 130 m (VGS = 10 V)sGENERAL DESCRIPTIONN-chann

 8.1. Size:35K  philips
 php11n50e phb11n50e phw11n50e.pdf

PHB11N06LT PHB11N06LT

Philips Semiconductors Preliminary specification PowerMOS transistors PHP11N50E, PHB11N50E, PHW11N50E Avalanche energy ratedFEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATAd Repetitive Avalanche Rated Fast switching VDSS = 500 V Stable off-state characteristics High thermal cycling performance ID = 10.4 Ag Low thermal resistanceRDS(ON) 0.6 sGENERAL DESCRIPTI

 8.2. Size:102K  philips
 phb11n50e phw11n50e 1.pdf

PHB11N06LT PHB11N06LT

Philips Semiconductors Product specification PowerMOS transistors PHB11N50E, PHW11N50E Avalanche energy ratedFEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATAd Repetitive Avalanche Rated Fast switching VDSS = 500 V Stable off-state characteristics High thermal cycling performance ID = 10.9 Ag Low thermal resistanceRDS(ON) 0.55 sGENERAL DESCRIPTIONN-channel,

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top