PHP45NQ15T datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: PHP45NQ15T
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 230 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 150 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 45.1 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 22 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 290 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.042 Ohm
Тип корпуса: TO-220AB
Аналог (замена) для PHP45NQ15T
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
PHP45NQ15T даташит
php45nq15t.pdf
PHP/PHB45NQ15T N-channel TrenchMOS standard level FET Rev. 01 8 November 2004 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description Standard level N-channel enhancement mode field effect transistor in a plastic package using TrenchMOS technology. 1.2 Features Low on-state resistance Fast switching Low thermal resistance Low gate charge. 1.3 Applications DC-to-DC
phb45nq10t php45nq10t phw45nq10t 1.pdf
Philips Semiconductors Product specification N-channel TrenchMOS transistor PHB45NQ10T, PHP45NQ10T PHW45NQ10T FEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATA Trench technology d Very low on-state resistance VDSS = 100 V Fast switching Low thermal resistance ID = 47 A g RDS(ON) 25 m s GENERAL DESCRIPTION N-channel enhancement mode field-effect power transistor
php45nq11t.pdf
PHP45NQ11T N-channel TrenchMOS standard level FET Rev. 02 19 November 2009 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description Standard level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in computing, communications, consumer and industrial applications only. 1.2 F
php45nq10t.pdf
PHP45NQ10T N-channel TrenchMOS standard level FET Rev. 02 8 July 2010 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description Standard level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in computing, communications, consumer and industrial applications only. 1.2 Featur
Другие IGBT... PHP21N06T, PHP222NQ04LT, PHP225NQ04T, PHP24N03LT, PHP32N06LT, PHP34NQ11T, PHP36N03LT, PHP45N03LT, TK10A60D, PHP52N06T, PHP54N06T, PHP66NQ03LT, PHP71NQ03LT, PHP73N06T, PHP75NQ08T, PHP78NQ03LT, PHP83N03LT
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: RM50P30DF | CRTT095N12N | CRSS028N10N | CRST030N10N | CRJQ80N65F | ASDM20N20KQ | ASDM20N100Q | ASDM12N65F | ASDM100R750PKQ | ASDM100R160NKQ | ASDM100R090NP | ASDM100R066NQ | ASDM100R045NQ | ASDM100N34KQ | ASDM100N15KQ | FTF30P35D
Popular searches
2sa720 | 2sc1345 | 2sd555 | a950 transistor | k2611 | c1740 transistor | c828 transistor | c4467




