Справочник MOSFET. SFH9250L

 

SFH9250L Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SFH9250L
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 204 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 19.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 150 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 400 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.23 Ohm
   Тип корпуса: TO3P
 

 Аналог (замена) для SFH9250L

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SFH9250L Datasheet (PDF)

 ..1. Size:545K  fairchild semi
sfh9250l.pdfpdf_icon

SFH9250L

Advanced Power MOSFETSFH9250LFEATURESBVDSS = -200 V Logic-Level Gate DriveRDS(on) = 0.23 Avalanche Rugged Technology Rugged Gate Oxide Technology ID = -19.5 A Lower Input Capacitances Improved Gate Charge Extended Safe Operating AreaTO-3P Lower Leakage Current : 10uA (Max.) @ VDS=-200V Lower RDS(ON) : 0.175 (Typ.)1231.Gate 2. D

 9.1. Size:207K  fairchild semi
sfh9240.pdfpdf_icon

SFH9250L

SFH9240Advanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = -200 V Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 0.5 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input CapacitanceID = -11 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating AreaTO-3P Lower Leakage Current : 10 A(Max.) @ VDS = -200V Lower RDS(ON) : 0.344 (Typ.)1231.Gate 2. Drain 3. SourceAbsolute Maximum RatingsSymbol Ch

 9.2. Size:920K  samsung
sfh9244.pdfpdf_icon

SFH9250L

Advanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = -250 V Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 0.8 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input CapacitanceID = -8.7 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current : 10 A (Max.) @ VDS = -250V Lower RDS(ON) : 0.549 (Typ.)1231.Gate 2. Drain 3. SourceAbsolute Maximum RatingsSymbol Characteristic

 9.3. Size:911K  samsung
sfh9240.pdfpdf_icon

SFH9250L

Advanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = -200 V Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 0.5 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input CapacitanceID = -11 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current : 10 A (Max.) @ VDS = -200V Lower RDS(ON) : 0.344 (Typ.)1231.Gate 2. Drain 3. SourceAbsolute Maximum RatingsSymbol Characteristic

Другие MOSFET... SFF9240Z , SFF9250L , SFFC40-28 , SFFC50 , SFFC50M , SFFC50Z , SFFX054M , SFFX054Z , 13N50 , SFI9540 , SFL024 , SFL044J , SFL3200 , SFM9014TF , SFM9110TF , SFP12N65 , SFP13N50 .

History: IRLZ24NSPBF | SI2306DS | SIZ704DT

 

 
Back to Top

 


 
.