SFW9Z34TM datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SFW9Z34TM  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 82 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 24 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 265 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.14 Ohm

Тип корпуса: D2PAK

Аналог (замена) для SFW9Z34TM

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SFW9Z34TM даташит

 ..1. Size:286K  fairchild semi
 sfw9z34tm.pdf pdf_icon

SFW9Z34TM

SFW/I9Z34 Advanced Power MOSFET FEATURES BVDSS = -60 V Avalanche Rugged Technology RDS(on) = 0.14 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input Capacitance ID = -18 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area D2-PAK I2-PAK 175oC Operating Temperature 2 Lower Leakage Current 10 A(Max.) @ VDS = -60V Low RDS(ON) 0.106 (Typ.) 1 1 2 3 3 1. Gate 2. Drain

 7.1. Size:509K  samsung
 sfw9z34.pdf pdf_icon

SFW9Z34TM

Advanced Power MOSFET FEATURES BVDSS = -60 V Avalanche Rugged Technology RDS(on) = 0.14 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input Capacitance ID = -18 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area 175oC Operating Temperature 2 Lower Leakage Current 10 A (Max.) @ VDS = -60V Low RDS(ON) 0.106 (Typ.) 1 1 2 3 3 1. Gate 2. Drain 3. Source Absolute

 9.1. Size:281K  fairchild semi
 sfi9z24 sfw9z24.pdf pdf_icon

SFW9Z34TM

SFW/I9Z24 Advanced Power MOSFET FEATURES BVDSS = -60 V n Avalanche Rugged Technology RDS(on) = 0.28 n Rugged Gate Oxide Technology n Lower Input Capacitance ID = -9.7 A n Improved Gate Charge n Extended Safe Operating Area D2-PAK I2-PAK n 175oC Operating Temperature 2 n Lower Leakage Current 10 A(Max.) @ VDS = -60V n Low RDS(ON) 0.206 (Typ.) 1 1 2 3 3 1. Gate

 9.2. Size:279K  fairchild semi
 sfi9z14 sfw9z14.pdf pdf_icon

SFW9Z34TM

SFW/I9Z14 Advanced Power MOSFET FEATURES BVDSS = -60 V n Avalanche Rugged Technology RDS(on) = 0.5 n Rugged Gate Oxide Technology n Lower Input Capacitance ID = -6.7 A n Improved Gate Charge n Extended Safe Operating Area D2-PAK I2-PAK n 175oC Operating Temperature 2 n Lower Leakage Current 10 A(Max.) @ VDS = -60V n Low RDS(ON) 0.362 (Typ.) 1 1 2 3 3 1. Gate

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... SFR9024TM, SFR9034TF, SFR9110TF, SFT1452, SFT210DE, SFT6661, SFW9530TM, SFW9640TM, IRFZ44N, SQM100N04-2M7, SQM100N04-3M5, SQM100N10-10, SQM110N04-02L, SQM110N04-03, SQM110N04-03L, SQM110N04-04, SQM110N05-06L