Справочник MOSFET. SSF3612E

 

SSF3612E Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SSF3612E
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 25 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 10.3 nC
   trⓘ - Время нарастания: 4.42 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 291 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.012 Ohm
   Тип корпуса: SOP-8
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SSF3612E Datasheet (PDF)

 ..1. Size:453K  goodark
ssf3612e.pdfpdf_icon

SSF3612E

SSF3612E 25V N-Channel MOSFET DESCRIPTION The SSF3612E uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 1.4V while retaining a 12V VGS(MAX) rating. It is ESD protected. This device is suitable for use as a uni-directional or bi-directional load switch, facilitated by its common-drain configuration. Schem

 7.1. Size:442K  silikron
ssf3612.pdfpdf_icon

SSF3612E

SSF3612 DDESCRIPTION The SSF3612 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) Gand low gate charge .This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. S Schematic diagram GENERAL FEATURES VDS = 30V,ID =11.6A RDS(ON)

 8.1. Size:587K  silikron
ssf3616.pdfpdf_icon

SSF3612E

SSF3616 DDESCRIPTION The SSF3616 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) Gand low gate charge .This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. S Schematic diagram GENERAL FEATURES VDS = 30V,ID =9A RDS(ON)

 8.2. Size:327K  silikron
ssf3617.pdfpdf_icon

SSF3612E

SSF3617 DDESCRIPTION The SSF3617 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) Gand low gate charge .This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. S Schematic diagram GENERAL FEATURES VDS =-30V,ID =-10A RDS(ON)

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRFZ44 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

 

 
Back to Top

 


 
.