TK12E60W - аналоги и даташиты транзистора

 

TK12E60W - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: TK12E60W
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 110 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 23 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 23 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.3 Ohm
   Тип корпуса: TO-220
 

 Аналог (замена) для TK12E60W

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TK12E60W Datasheet (PDF)

 ..1. Size:251K  toshiba
 tk12e60w.pdf pdf_icon

TK12E60W

TK12E60WMOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS)TK12E60WTK12E60WTK12E60WTK12E60W1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 0.265 (typ.) by used to Super Junction Structure : DTMOS(2) Easy to control Gate switching(3) E

 ..2. Size:246K  inchange semiconductor
 tk12e60w.pdf pdf_icon

TK12E60W

INCHANGE Semiconductorisc N-Channel MOSFET Transistor TK12E60WITK12E60WFEATURESLow drain-source on-resistance:RDS(on) 0.3.Enhancement mode:Vth =2.7 to 3.7V (VDS = 10 V, ID=0.6mA)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONSwitching Voltage RegulatorsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =

 7.1. Size:250K  toshiba
 tk12e60u.pdf pdf_icon

TK12E60W

TK12E60UMOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS)TK12E60UTK12E60UTK12E60UTK12E60U1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 0.36 (typ.)(2) High forward transfer admittance: |Yfs| = 7.0 S (typ.)(3) Low leakage current: IDS

 7.2. Size:245K  inchange semiconductor
 tk12e60u.pdf pdf_icon

TK12E60W

INCHANGE Semiconductorisc N-Channel MOSFET Transistor TK12E60UITK12E60UFEATURESLow drain-source on-resistance:RDS(on) 0.4.Enhancement mode:Vth =3.0 to 5.0V (VDS = 10 V, ID=1mA)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONSwitching Voltage RegulatorsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... TK10P60W , TK10Q60W , TK10V60W , TK11A65W , TK11P65W , TK11Q65W , TK11S10N1L , TK12A60W , IRF1404 , TK12J60W , TK12P60W , TK12Q60W , TK12V60W , TK14A65W , TK14A65W5 , TK14C65W , TK14C65W5 .

History: KP743B | AUIRFS4127

 

 
Back to Top

 


 
.