TK12E60W MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: TK12E60W
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 110 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 600 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3.7 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 11.5 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 25 nC
Время нарастания (tr): 23 ns
Выходная емкость (Cd): 23 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.3 Ohm
Тип корпуса: TO-220
TK12E60W Datasheet (PDF)
tk12e60w.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
TK12E60WMOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS)TK12E60WTK12E60WTK12E60WTK12E60W1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 0.265 (typ.) by used to Super Junction Structure : DTMOS(2) Easy to control Gate switching(3) E
tk12e60w.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
INCHANGE Semiconductorisc N-Channel MOSFET Transistor TK12E60WITK12E60WFEATURESLow drain-source on-resistance:RDS(on) 0.3.Enhancement mode:Vth =2.7 to 3.7V (VDS = 10 V, ID=0.6mA)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONSwitching Voltage RegulatorsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =
tk12e60u.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
TK12E60UMOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS)TK12E60UTK12E60UTK12E60UTK12E60U1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 0.36 (typ.)(2) High forward transfer admittance: |Yfs| = 7.0 S (typ.)(3) Low leakage current: IDS
tk12e60u.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
INCHANGE Semiconductorisc N-Channel MOSFET Transistor TK12E60UITK12E60UFEATURESLow drain-source on-resistance:RDS(on) 0.4.Enhancement mode:Vth =3.0 to 5.0V (VDS = 10 V, ID=1mA)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONSwitching Voltage RegulatorsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .