TK16J60W datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: TK16J60W  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 130 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15.8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 35 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.19 Ohm

Тип корпуса: TO-3P

  📄📄 Копировать ⓘ

Аналог (замена) для TK16J60W

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TK16J60W даташит

 ..1. Size:245K  toshiba
 tk16j60w.pdf pdf_icon

TK16J60W

TK16J60W MOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS ) TK16J60W TK16J60W TK16J60W TK16J60W 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications Switching Voltage Regulators 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 0.16 (typ.) by used to Super Junction Structure DTMOS (2) Easy to control Gate switching (3) En

 ..2. Size:210K  inchange semiconductor
 tk16j60w.pdf pdf_icon

TK16J60W

INCHANGE Semiconductor isc N-Channel MOSFET Transistor TK16J60W FEATURES With TO-3PN packaging High speed switching Standard level gate drive Easy to use 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Power supply Switching applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETE

 0.1. Size:243K  toshiba
 tk16j60w5.pdf pdf_icon

TK16J60W

TK16J60W5 MOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS ) TK16J60W5 TK16J60W5 TK16J60W5 TK16J60W5 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications Switching Voltage Regulators 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) Fast reverse recovery time trr = 100 ns (typ.) (2) Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 0.18 (typ.) by used to Super Junction Str

 9.1. Size:189K  toshiba
 tk16j55d.pdf pdf_icon

TK16J60W

TK16J55D TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type ( -MOS ) TK16J55D Switching Regulator Applications Unit mm 15.9 MAX. 3.2 0.2 Low drain-source ON-resistance RDS (ON) = 0.31 (typ.) High forward transfer admittance Yfs = 6.5 S (typ.) Low leakage current IDSS = 10 A (max) (VDS = 550 V) Enhancement mode Vth = 2.0 to 4.0 V (VD

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... TK160F10N1, TK16A60W, TK16A60W5, TK16C60W, TK16E60W, TK16E60W5, TK16G60W, TK16G60W5, AO3401, TK16J60W5, TK16N60W, TK16N60W5, TK16V60W, TK16V60W5, TK17A80W, TK17C65W, TK17E65W