Справочник MOSFET. TK16J60W5

 

TK16J60W5 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: TK16J60W5
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 130 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15.8 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 40 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 35 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.23 Ohm
   Тип корпуса: TO-3P

 Аналог (замена) для TK16J60W5

 

 

TK16J60W5 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:243K  toshiba
 tk16j60w5.pdf

TK16J60W5 TK16J60W5

TK16J60W5MOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS)TK16J60W5TK16J60W5TK16J60W5TK16J60W51. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Fast reverse recovery time: trr = 100 ns (typ.)(2) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 0.18 (typ.) by used to Super Junction Str

 6.1. Size:245K  toshiba
 tk16j60w.pdf

TK16J60W5 TK16J60W5

TK16J60WMOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS)TK16J60WTK16J60WTK16J60WTK16J60W1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 0.16 (typ.) by used to Super Junction Structure : DTMOS(2) Easy to control Gate switching(3) En

 6.2. Size:210K  inchange semiconductor
 tk16j60w.pdf

TK16J60W5 TK16J60W5

INCHANGE Semiconductorisc N-Channel MOSFET Transistor TK16J60WFEATURESWith TO-3PN packagingHigh speed switchingStandard level gate driveEasy to use100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSPower supplySwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETE

 9.1. Size:189K  toshiba
 tk16j55d.pdf

TK16J60W5 TK16J60W5

TK16J55D TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (-MOS) TK16J55D Switching Regulator Applications Unit: mm15.9 MAX. 3.2 0.2 Low drain-source ON-resistance: RDS (ON) = 0.31 (typ.) High forward transfer admittance: |Yfs| = 6.5 S (typ.) Low leakage current: IDSS = 10 A (max) (VDS = 550 V) Enhancement mode: Vth = 2.0 to 4.0 V (VD

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top