TK31V60W5 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: TK31V60W5
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 240 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 600 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4.5 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 30.8 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 105 nC
Время нарастания (tr): 80 ns
Выходная емкость (Cd): 70 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.109 Ohm
Тип корпуса: DFN8X8
TK31V60W5 Datasheet (PDF)
tk31v60w5.pdf
TK31V60W5MOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS)TK31V60W5TK31V60W5TK31V60W5TK31V60W51. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Fast reverse recovery time: trr = 135 ns (typ.)(2) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 0.087 (typ.)(3) Easy to control Gate switc
tk31v60w.pdf
TK31V60WMOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS)TK31V60WTK31V60WTK31V60WTK31V60W1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 0.078 (typ.) by used to Super Junction Structure : DTMOS(2) Easy to control Gate switching(3) E
tk31v60x.pdf
TK31V60XMOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS-H)TK31V60XTK31V60XTK31V60XTK31V60X1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 0.078 (typ.) by used to Super Junction Structure : DTMOS(2) High-speed switching properties wit
Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRF1010E , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .
