Справочник MOSFET. TK32E12N1

 

TK32E12N1 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: TK32E12N1
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 98 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 120 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 14 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 330 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0138 Ohm
   Тип корпуса: TO-220
 

 Аналог (замена) для TK32E12N1

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TK32E12N1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:252K  toshiba
 tk32e12n1.pdf pdf_icon

TK32E12N1

TK32E12N1MOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOS-H)TK32E12N1TK32E12N1TK32E12N1TK32E12N11. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 11.0 m (typ.) (VGS = 10 V)(2) Low leakage current: IDSS = 10 A (max) (VDS = 120 V)(3) Enh

 ..2. Size:246K  inchange semiconductor
 tk32e12n1.pdf pdf_icon

TK32E12N1

INCHANGE Semiconductorisc N-Channel MOSFET Transistor TK32E12N1ITK32E12N1FEATURESLow drain-source on-resistance:RDS(on) 13.8m. (VGS = 10 V)Enhancement mode:Vth =2.0 to 4.0V (VDS = 10 V, ID=0.5mA)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONSwitching Voltage RegulatorsABSOLUTE MAXI

Другие MOSFET... TK31J60W5 , TK31N60W , TK31N60W5 , TK31N60X , TK31V60W , TK31V60W5 , TK31V60X , TK32A12N1 , MMD60R360PRH , TK33S10N1Z , TK34A10N1 , TK34E10N1 , TK35A08N1 , TK35A65W , TK35A65W5 , TK35E08N1 , TK35N65W .

History: STW150NF55 | 2SK3527-01 | NCEP020N85

 

 
Back to Top

 


 
.