TK32E12N1 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: TK32E12N1
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 98 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 120 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 60 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 34 nC
Время нарастания (tr): 14 ns
Выходная емкость (Cd): 330 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0138 Ohm
Тип корпуса: TO-220
TK32E12N1 Datasheet (PDF)
tk32e12n1.pdf
TK32E12N1MOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOS-H)TK32E12N1TK32E12N1TK32E12N1TK32E12N11. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 11.0 m (typ.) (VGS = 10 V)(2) Low leakage current: IDSS = 10 A (max) (VDS = 120 V)(3) Enh
tk32e12n1.pdf
INCHANGE Semiconductorisc N-Channel MOSFET Transistor TK32E12N1ITK32E12N1FEATURESLow drain-source on-resistance:RDS(on) 13.8m. (VGS = 10 V)Enhancement mode:Vth =2.0 to 4.0V (VDS = 10 V, ID=0.5mA)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONSwitching Voltage RegulatorsABSOLUTE MAXI
Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRF1010E , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .
History: WMK190N15HG4
