IRFU210A Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: IRFU210A
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 26 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.7 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 35 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.5 Ohm
Тип корпуса: TO251
Аналог (замена) для IRFU210A
IRFU210A Datasheet (PDF)
irfr210pbf irfu210pbf.pdf

PD - 95068AIRFR210PbFIRFU210PbF Lead-Free12/9/04Document Number: 91268 www.vishay.com1IRFR/U210PbFDocument Number: 91268 www.vishay.com2IRFR/U210PbFDocument Number: 91268 www.vishay.com3IRFR/U210PbFDocument Number: 91268 www.vishay.com4IRFR/U210PbFDocument Number: 91268 www.vishay.com5IRFR/U210PbFDocument Number: 91268 www.vishay.com6IRFR/U21
irfr210b irfu210b 2.pdf

November 2001IRFR210B / IRFU210B200V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 2.7A, 200V, RDS(on) = 1.5 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 7.2 nC)planar, DMOS technology. Low Crss ( typical 6.8 pF)This advanced technology has been especially tailored t
irfr210b irfu210b.pdf

November 2001IRFR210B / IRFU210B200V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 2.7A, 200V, RDS(on) = 1.5 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 7.2 nC)planar, DMOS technology. Low Crss ( typical 6.8 pF)This advanced technology has been especially tailored t
irfr210pbf irfu210pbf sihfr210 sihfu210.pdf

IRFR210, IRFU210, SiHFR210, SiHFU210www.vishay.comVishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt RatingVDS (V) 200 Repetitive Avalanche RatedRDS(on) ()VGS = 10 V 1.5 Surface Mount (IRFR210, SiHFR210)Qg (Max.) (nC) 8.2 Straight Lead (IRFU210, SiHFU210) Available in Tape and ReelQgs (nC) 1.8 Fast SwitchingQgd (nC) 4.5 Eas
Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , SPP20N60C3 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .
History: FDMC86240 | IPU80R1K0CE | 2SJ303 | IRFB4212 | 2SK2018-01S | PSMN013-80YS
History: FDMC86240 | IPU80R1K0CE | 2SJ303 | IRFB4212 | 2SK2018-01S | PSMN013-80YS



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMPL1050PU | JMPL1050PK | JMPL1050PG | JMPL1050AY | JMPL1050AUQ | JMPL1050AU | JMPL1050APD | JMPL1050AP | JMPL1050AKQ | JMPL1050AK | JMPL1050AGQ | JMPL1050AG | JMPL1050AE | JMPF8N60BJ | JMPF840BJ | JMPF7N65BJ
Popular searches
ksc2383 datasheet | 2n3906 equivalent | a733 transistor equivalent | 2n5401 transistor datasheet | 2n2222 data sheet | irf3205 datasheet | oc71 | njw0302g