Справочник MOSFET. TK62N60W5

 

TK62N60W5 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: TK62N60W5
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 400 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 61.8 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 205 nC
   trⓘ - Время нарастания: 190 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 140 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.045 Ohm
   Тип корпуса: TO-247

 Аналог (замена) для TK62N60W5

 

 

TK62N60W5 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:244K  toshiba
 tk62n60w5.pdf

TK62N60W5 TK62N60W5

TK62N60W5MOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS)TK62N60W5TK62N60W5TK62N60W5TK62N60W51. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Fast reverse recovery time: trr = 170 ns (typ.)(2) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 0.036 (typ.) by used to Super Junction St

 6.1. Size:245K  toshiba
 tk62n60w.pdf

TK62N60W5 TK62N60W5

TK62N60WMOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS)TK62N60WTK62N60WTK62N60WTK62N60W1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 0.033 (typ.) by used to Super Junction Structure : DTMOS(2) Easy to control Gate switching(3) E

 7.1. Size:245K  toshiba
 tk62n60x.pdf

TK62N60W5 TK62N60W5

TK62N60XMOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS-H)TK62N60XTK62N60XTK62N60XTK62N60X1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 0.033 (typ.) by used to Super Junction Structure : DTMOS(2) High-speed switching properties wit

 9.1. Size:583K  ixys
 ixtk62n25.pdf

TK62N60W5 TK62N60W5

IXTK 62N25 VDSS = 250 VHigh CurrentID25 = 62 AMegaMOSTMFETRDS(on) = 35 mN-Channel Enhancement ModePreliminary Data SheetSymbol Test conditions Maximum ratingsTO-264VDSS TJ = 25C to 150C 250 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1.0 M 250 VVGS Continuous 20 VVGSM Transient 30 VD (TAB)GID25 TC = 25C62 ADIDM TC = 25C, pulse width

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRLB4132 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

 

 
Back to Top