Справочник MOSFET. TK72E12N1

 

TK72E12N1 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: TK72E12N1
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 255 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 120 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 72 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 33 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1200 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0044 Ohm
   Тип корпуса: TO-220
 

 Аналог (замена) для TK72E12N1

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TK72E12N1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:246K  toshiba
 tk72e12n1.pdf pdf_icon

TK72E12N1

TK72E12N1MOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOS-H)TK72E12N1TK72E12N1TK72E12N1TK72E12N11. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 3.6 m (typ.) (VGS = 10 V)(2) Low leakage current: IDSS = 10 A (max) (VDS = 120 V)(3) Enha

 ..2. Size:206K  inchange semiconductor
 tk72e12n1.pdf pdf_icon

TK72E12N1

INCHANGE Semiconductorisc N-Channel MOSFET Transistor TK72E12N1FEATURESWith TO-220 packagingHigh speed switchingVery high commutation ruggednessEasy to use100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSPFC stagesLCD & PDP TVPower supplySwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM

 0.1. Size:254K  inchange semiconductor
 itk72e12n1.pdf pdf_icon

TK72E12N1

isc N-Channel MOSFET Transistor ITK72E12N1FEATURESWith TO-220 packagingHigh speed switchingVery high commutation ruggednessEasy to use100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSPFC stagesLCD & PDP TVPower supplySwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)a

 9.1. Size:246K  toshiba
 tk72e08n1.pdf pdf_icon

TK72E12N1

TK72E08N1MOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOS-H)TK72E08N1TK72E08N1TK72E08N1TK72E08N11. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 3.6 m (typ.) (VGS = 10 V)(2) Low leakage current: IDSS = 10 A (max) (VDS = 80 V)(3) Enhan

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... TK6P60W , TK6P65W , TK6Q60W , TK6Q65W , TK70J04K3Z , TK72A08N1 , TK72A12N1 , TK72E08N1 , IRF1407 , TK7A60W , TK7A60W5 , TK7A65W , TK7A90E , TK7J90E , TK7P60W , TK7P60W5 , TK7P65W .

History: IRFBC30SPBF | ST2301A | STP24N60M2 | SML20B67F | ITA08N65R | FCP150N65F | 2SJ599

 

 
Back to Top

 


 
.