Справочник MOSFET. TK9A65W

 

TK9A65W MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: TK9A65W
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 30 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 650 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3.5 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 9.3 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 20 nC
   Время нарастания (tr): 16 ns
   Выходная емкость (Cd): 20 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.5 Ohm
   Тип корпуса: TO-220SIS

 Аналог (замена) для TK9A65W

 

 

TK9A65W Datasheet (PDF)

 ..1. Size:374K  toshiba
tk9a65w.pdf

TK9A65W
TK9A65W

TK9A65WMOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS)TK9A65WTK9A65WTK9A65WTK9A65W1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 0.43 (typ.)by using Super Junction Structure : DTMOS(2) Easy to control Gate switching(3) Enhancement

 ..2. Size:253K  inchange semiconductor
tk9a65w.pdf

TK9A65W
TK9A65W

INCHANGE SemiconductoriscN-Channel MOSFET Transistor TK9A65WITK9A65WFEATURESLow drain-source on-resistance: RDS(ON) = 0.43 (typ.)Enhancement mode: Vth = 2.5 to 3.5V (VDS = 10 V, ID=0.35mA)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONSwitching Voltage RegulatorsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(

 9.1. Size:190K  toshiba
tk9a60d.pdf

TK9A65W
TK9A65W

TK9A60D TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (-MOS) TK9A60D Switching Regulator Applications Unit: mm2.7 0.210 0.3 3.2 0.2 A Low drain-source ON-resistance: RDS (ON) = 0.67 (typ.) High forward transfer admittance: |Yfs| = 4.0 S (typ.) Low leakage current: IDSS = 10 A (max) (VDS = 600 V) Enhancement mode: Vth =

 9.2. Size:253K  inchange semiconductor
tk9a60d.pdf

TK9A65W
TK9A65W

INCHANGE SemiconductoriscN-Channel MOSFET Transistor TK9A60DITK9A60DFEATURESLow drain-source on-resistance:RDS(ON) = 0.67 (typ.)Enhancement mode:Vth = 2.0 to 4.0V (VDS = 10 V, ID=1.0mA)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONSwitching Voltage RegulatorsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , RFP50N06 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: SSSF11NS65UF

 

 
Back to Top