Справочник MOSFET. TK9A65W

 

TK9A65W MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: TK9A65W
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 30 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9.3 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 20 nC
   trⓘ - Время нарастания: 16 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 20 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.5 Ohm
   Тип корпуса: TO-220SIS

 Аналог (замена) для TK9A65W

 

 

TK9A65W Datasheet (PDF)

 ..1. Size:374K  toshiba
 tk9a65w.pdf

TK9A65W TK9A65W

TK9A65WMOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS)TK9A65WTK9A65WTK9A65WTK9A65W1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 0.43 (typ.)by using Super Junction Structure : DTMOS(2) Easy to control Gate switching(3) Enhancement

 ..2. Size:253K  inchange semiconductor
 tk9a65w.pdf

TK9A65W TK9A65W

INCHANGE SemiconductoriscN-Channel MOSFET Transistor TK9A65WITK9A65WFEATURESLow drain-source on-resistance: RDS(ON) = 0.43 (typ.)Enhancement mode: Vth = 2.5 to 3.5V (VDS = 10 V, ID=0.35mA)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONSwitching Voltage RegulatorsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(

 9.1. Size:190K  toshiba
 tk9a60d.pdf

TK9A65W TK9A65W

TK9A60D TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (-MOS) TK9A60D Switching Regulator Applications Unit: mm2.7 0.210 0.3 3.2 0.2 A Low drain-source ON-resistance: RDS (ON) = 0.67 (typ.) High forward transfer admittance: |Yfs| = 4.0 S (typ.) Low leakage current: IDSS = 10 A (max) (VDS = 600 V) Enhancement mode: Vth =

 9.2. Size:253K  inchange semiconductor
 tk9a60d.pdf

TK9A65W TK9A65W

INCHANGE SemiconductoriscN-Channel MOSFET Transistor TK9A60DITK9A60DFEATURESLow drain-source on-resistance:RDS(ON) = 0.67 (typ.)Enhancement mode:Vth = 2.0 to 4.0V (VDS = 10 V, ID=1.0mA)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONSwitching Voltage RegulatorsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top