Справочник MOSFET. IRF1405ZL-7PPBF

 

IRF1405ZL-7PPBF Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IRF1405ZL-7PPBF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 230 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 55 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 120 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 140 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1310 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0049 Ohm
   Тип корпуса: TO-263CA-7
 

 Аналог (замена) для IRF1405ZL-7PPBF

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRF1405ZL-7PPBF Datasheet (PDF)

 0.1. Size:319K  international rectifier
 irf1405zl-7ppbf irf1405zs-7ppbf.pdf pdf_icon

IRF1405ZL-7PPBF

PD - 97206BIRF1405ZS-7PPbFIRF1405ZL-7PPbFHEXFET Power MOSFETFeaturesl Advanced Process TechnologyDVDSS = 55Vl Ultra Low On-Resistancel 175C Operating Temperaturel Fast SwitchingRDS(on) = 4.9mGl Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmaxl Lead-FreeSID = 120AS (Pin 2, 3, 5, 6, 7)G (Pin 1)DescriptionThis HEXFET Power MOSFET utilizes the latestpro

 5.1. Size:396K  international rectifier
 irf1405zlpbf irf1405zpbf irf1405zspbf.pdf pdf_icon

IRF1405ZL-7PPBF

PD - 97018AIRF1405ZPbFIRF1405ZSPbFIRF1405ZLPbFFeaturesHEXFET Power MOSFETl Advanced Process Technologyl Ultra Low On-ResistanceDl 175C Operating TemperatureVDSS = 55Vl Fast Switchingl Repetitive Avalanche Allowed up to TjmaxRDS(on) = 4.9ml Lead-FreeGID = 75ADescription SThis HEXFET Power MOSFET utilizes the latestprocessing techniques to achieve ex

 5.2. Size:396K  international rectifier
 irf1405zpbf irf1405zspbf irf1405zlpbf.pdf pdf_icon

IRF1405ZL-7PPBF

PD - 97018AIRF1405ZPbFIRF1405ZSPbFIRF1405ZLPbFFeaturesHEXFET Power MOSFETl Advanced Process Technologyl Ultra Low On-ResistanceDl 175C Operating TemperatureVDSS = 55Vl Fast Switchingl Repetitive Avalanche Allowed up to TjmaxRDS(on) = 4.9ml Lead-FreeGID = 75ADescription SThis HEXFET Power MOSFET utilizes the latestprocessing techniques to achieve ex

 5.3. Size:345K  infineon
 auirf1405zs auirf1405zl.pdf pdf_icon

IRF1405ZL-7PPBF

AUTOMOTIVE GRADE AUIRF1405ZS AUIRF1405ZL HEXFET Power MOSFET Features Advanced Process Technology VDSS 55V Ultra Low On-Resistance 175C Operating Temperature RDS(on) max. 4.9m Fast Switching Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax ID 150A Lead-Free, RoHS Compliant Automotive Qualified * D D Description Specifically designed

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... TMU7N65AZ , TMU7N65Z , TMU830 , TMU830AZ , TMU830Z , TMU8N25Z , TMU8N50Z , TMU8N60AZ , RU6888R , IRF1405ZLPBF , IRF1405ZPBF , IRF1405ZS-7PPBF , IRF1405ZSPBF , IRF1407PBF , IRF140SMD , FMP03N60E , FMP05N50E .

History: AOT29S50L | AP2306AGEN | INJ0212AP1 | CS3N70HF | 2SK1351 | MC10N006 | MDU3605URH

 

 
Back to Top

 


 
.