IRF1405ZL-7PPBF. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IRF1405ZL-7PPBF

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 230 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 55 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 120 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 140 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1310 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0049 Ohm

Тип корпуса: TO-263CA-7

Аналог (замена) для IRF1405ZL-7PPBF

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRF1405ZL-7PPBF даташит

 0.1. Size:319K  international rectifier
 irf1405zl-7ppbf irf1405zs-7ppbf.pdf pdf_icon

IRF1405ZL-7PPBF

PD - 97206B IRF1405ZS-7PPbF IRF1405ZL-7PPbF HEXFET Power MOSFET Features l Advanced Process Technology D VDSS = 55V l Ultra Low On-Resistance l 175 C Operating Temperature l Fast Switching RDS(on) = 4.9m G l Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax l Lead-Free S ID = 120A S (Pin 2, 3, 5, 6, 7) G (Pin 1) Description This HEXFET Power MOSFET utilizes the latest pro

 5.1. Size:396K  international rectifier
 irf1405zlpbf irf1405zpbf irf1405zspbf.pdf pdf_icon

IRF1405ZL-7PPBF

PD - 97018A IRF1405ZPbF IRF1405ZSPbF IRF1405ZLPbF Features HEXFET Power MOSFET l Advanced Process Technology l Ultra Low On-Resistance D l 175 C Operating Temperature VDSS = 55V l Fast Switching l Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax RDS(on) = 4.9m l Lead-Free G ID = 75A Description S This HEXFET Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve ex

 5.2. Size:396K  international rectifier
 irf1405zpbf irf1405zspbf irf1405zlpbf.pdf pdf_icon

IRF1405ZL-7PPBF

PD - 97018A IRF1405ZPbF IRF1405ZSPbF IRF1405ZLPbF Features HEXFET Power MOSFET l Advanced Process Technology l Ultra Low On-Resistance D l 175 C Operating Temperature VDSS = 55V l Fast Switching l Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax RDS(on) = 4.9m l Lead-Free G ID = 75A Description S This HEXFET Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve ex

 5.3. Size:345K  infineon
 auirf1405zs auirf1405zl.pdf pdf_icon

IRF1405ZL-7PPBF

AUTOMOTIVE GRADE AUIRF1405ZS AUIRF1405ZL HEXFET Power MOSFET Features Advanced Process Technology VDSS 55V Ultra Low On-Resistance 175 C Operating Temperature RDS(on) max. 4.9m Fast Switching Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax ID 150A Lead-Free, RoHS Compliant Automotive Qualified * D D Description Specifically designed

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... TMU7N65AZ, TMU7N65Z, TMU830, TMU830AZ, TMU830Z, TMU8N25Z, TMU8N50Z, TMU8N60AZ, AO3400A, IRF1405ZLPBF, IRF1405ZPBF, IRF1405ZS-7PPBF, IRF1405ZSPBF, IRF1407PBF, IRF140SMD, FMP03N60E, FMP05N50E