FQB12N50TMAM002. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FQB12N50TMAM002

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 179 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12.1 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 120 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 220 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.49 Ohm

Тип корпуса: D2-PAK

Аналог (замена) для FQB12N50TMAM002

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FQB12N50TMAM002 даташит

 4.1. Size:616K  fairchild semi
 fqb12n50tm am002 fqi12n50tu.pdf pdf_icon

FQB12N50TMAM002

TM QFET FQB12N50 / FQI12N50 500V N-Channel MOSFET General Description Features These N-Channel enhancement mode power field effect 12.1A, 500V, RDS(on) = 0.49 @VGS = 10 V transistors are produced using Fairchild s proprietary, Low gate charge ( typical 39 nC) planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 25 pF) This advanced technology has been especially tailored

 8.1. Size:540K  fairchild semi
 fqb12n60tm am002 fqi12n60tu.pdf pdf_icon

FQB12N50TMAM002

April 2000 TM QFET QFET QFET QFET FQB12N60 / FQI12N60 600V N-Channel MOSFET General Description Features These N-Channel enhancement mode power field effect 10.5A, 600V, RDS(on) = 0.7 @ VGS = 10 V transistors are produced using Fairchild s proprietary, Low gate charge ( typical 42 nC) planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 25 pF) This advanced technolo

 8.2. Size:821K  fairchild semi
 fqb12n60ctm fqi12n60ctu.pdf pdf_icon

FQB12N50TMAM002

September 2007 QFET FQB12N60C / FQI12N60C 600V N-Channel MOSFET Features Description 12A, 600V, RDS(on) = 0.65 @VGS = 10 V These N-Channel enhancement mode power field effect Low gate charge ( typical 48 nC) transistors are produced using Fairchild s proprietary, planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 21pF) This advanced technology has been especially

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... FQAF9N50, FQAF9P25, FQB10N20C, FQB10N20LTM, FQB10N60CTM, FQB11N40CTM, FQB11N40TM, FQB11P06TM, BS170, FQB12N60CTM, FQB12N60TMAM002, FQB12P10TM, FQB12P20TM, FQB13N06LTM, FQB13N06TM, FQB13N10LTM, FQB13N10