FQB12N60TMAM002. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FQB12N60TMAM002

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 180 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 115 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 200 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.7 Ohm

Тип корпуса: D2-PAK

Аналог (замена) для FQB12N60TMAM002

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FQB12N60TMAM002 даташит

 4.1. Size:540K  fairchild semi
 fqb12n60tm am002 fqi12n60tu.pdf pdf_icon

FQB12N60TMAM002

April 2000 TM QFET QFET QFET QFET FQB12N60 / FQI12N60 600V N-Channel MOSFET General Description Features These N-Channel enhancement mode power field effect 10.5A, 600V, RDS(on) = 0.7 @ VGS = 10 V transistors are produced using Fairchild s proprietary, Low gate charge ( typical 42 nC) planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 25 pF) This advanced technolo

 6.1. Size:821K  fairchild semi
 fqb12n60ctm fqi12n60ctu.pdf pdf_icon

FQB12N60TMAM002

September 2007 QFET FQB12N60C / FQI12N60C 600V N-Channel MOSFET Features Description 12A, 600V, RDS(on) = 0.65 @VGS = 10 V These N-Channel enhancement mode power field effect Low gate charge ( typical 48 nC) transistors are produced using Fairchild s proprietary, planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 21pF) This advanced technology has been especially

 8.1. Size:616K  fairchild semi
 fqb12n50tm am002 fqi12n50tu.pdf pdf_icon

FQB12N60TMAM002

TM QFET FQB12N50 / FQI12N50 500V N-Channel MOSFET General Description Features These N-Channel enhancement mode power field effect 12.1A, 500V, RDS(on) = 0.49 @VGS = 10 V transistors are produced using Fairchild s proprietary, Low gate charge ( typical 39 nC) planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 25 pF) This advanced technology has been especially tailored

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... FQB10N20C, FQB10N20LTM, FQB10N60CTM, FQB11N40CTM, FQB11N40TM, FQB11P06TM, FQB12N50TMAM002, FQB12N60CTM, IRFP250, FQB12P10TM, FQB12P20TM, FQB13N06LTM, FQB13N06TM, FQB13N10LTM, FQB13N10, FQB13N50CTM, FQB14N15