Справочник MOSFET. FQB16N25CTM

 

FQB16N25CTM Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FQB16N25CTM
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 139 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 250 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15.6 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 130 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 170 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.27 Ohm
   Тип корпуса: D2-PAK
 

 Аналог (замена) для FQB16N25CTM

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FQB16N25CTM Datasheet (PDF)

 ..1. Size:761K  fairchild semi
fqb16n25ctm fqi16n25ctu.pdfpdf_icon

FQB16N25CTM

June 2006 QFETFQB16N25C/FQI16N25C250V N-Channel MOSFETFeatures Description 15.6A, 250V, RDS(on) = 0.27 @VGS = 10 V These N-Channel enhancement mode power field effecttransistors are produced using Fairchilds proprietary, planar Low gate charge ( typical 41nC)stripe, DMOS technology.This advanced technology has been especially tailored to Low Crss ( typica

 6.1. Size:740K  fairchild semi
fqb16n25tm.pdfpdf_icon

FQB16N25CTM

May 2000TMQFETQFETQFETQFETFQB16N25 / FQI16N25250V N-ChanneI MOSFETGeneraI Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 16A, 250V, RDS(on) = 0.23 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 27 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 23 pF)This advanced technology h

 8.1. Size:737K  fairchild semi
fqb16n15tm.pdfpdf_icon

FQB16N25CTM

April 2000TMQFETQFETQFETQFETFQB16N15 / FQI16N15150V N-ChanneI MOSFETGeneraI Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 16.4A, 150V, RDS(on) = 0.16 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 23 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 30 pF)This advanced technolo

Другие MOSFET... FQB13N06TM , FQB13N10LTM , FQB13N10 , FQB13N50CTM , FQB14N15 , FQB14N30TM , FQB15P12TM , FQB16N15TM , IRF2807 , FQB16N25TM , FQB17N08LTM , FQB17N08TM , FQB17P06TM , FQB17P10TM , FQB19N10LTM , FQB19N10TM , FQB19N20CTM .

 

 
Back to Top

 


 
.